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拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体

材料名称：In2Te5晶体

性质分类：拓扑材料+热电材料+红外材料

禁带宽度：~1 eV

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

合成方法：CVT

剥离难易程度：难

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第1张图片

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第2张图片

材料名称：In3SbTe2晶体

性质分类：相变材料，金属性层状材料

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊保存

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第3张图片

材料名称：InBi晶体

性质分类：拓扑绝缘体

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

         100平方毫米 

剥离难易程度：中

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第4张图片

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第5张图片

材料名称：InSb晶体

性质分类：拓扑绝缘体

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

         100平方毫米 

剥离难易程度：难

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第6张图片

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第7张图片

材料名称：InSiTe3晶体

性质分类：半导体，热电材料

禁带宽度：0.8 eV

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

         100平方毫米 

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定性一般，需要避开水氧保存

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第8张图片

研磨成粉末测试XRD

拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体_第9张图片

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