2019-11-30

一 、工作计划

1 运用新网格完成：

（1）密度扫描、功率扫描。

（2）验证：

（i）雪花偏滤器对脱靶的影响

（ii）碳杂质在外靶板附近的聚集是否是普遍现象

（iii）雪花偏滤器在高功率下的表现：温度、热流、杂质聚集、辐射、受力、杂质流、zeff等

（iv）寻找分析几何结构对偏滤器影响的文献及模型。

（v）通过简单的碳化学溅射公式，计算外靶板区域C化学溅射产额，研究外靶板碳杂质聚集是因为：产生的多，还是其他因素影响。

（3）可行性分析：

（i）采用您给的solps 5.0的边界条件（b2.boundary），扩散 0.2，热传导1.0，加热功率4MW，化学溅射0.02，抽气0.9。采用固定芯部密度方式，可实现两种位型的脱靶（测试case已经证明）。

（ii）经过前期文献调研，已从DIII-D、TCV、NSTX等装置已完成的工作，获得分析框架。结合2019年NSTX-U热流、粒子耗散模型、和低极向场区域（NSTX中有相关分析），分析造成碳杂质在外靶板区域聚集的分析。

（iii）英文表述：从文献中，寻找、积累。

2 . 辐射雪花偏滤器分析：

（1）通过上一步工作，选择合适的上游密度和输入功率（保证温度合适——远离脱靶区，输入功率合适——确保获得较明显的喷气效果）

（2）喷气速率扫描，（1e19～9e19），找到合适的喷气量（标准：喷气前后，上游电子密度抬升的程度、zeff、芯部杂质含量、靶板电子温度和辐射等，找到合适的喷气速率）

（3）找到合适的喷气速率，对喷气位置进行扫描（OSP、ISP、OD、ID、DOME、OMP、IMP）。通过：靶板热流、温度、辐射、杂质屏蔽、有效辐射体积、脱靶前距离XP距离、辐射效率、内外靶板不对称性等角度进行分析，找到合适的喷气位置。

（4）验证 pump and gas 效应的影响

（i）选定合适的喷气位置，在OMP、IMP喷氘气，探究对（靶板剖面、杂质屏蔽、辐射、抽气（NSTX中发现，雪花偏滤器显著提升抽气效率））的影响

（ii）对杂质分布进行分析，验证杂质在外靶板聚集，是否是普遍现象。

（5）可行性分析：

（i）在不合适的上游密度和喷气速率下，已经完成相应case的运行，和基本分析。

（ii）相关文献线索已经有一定积累。