MOS管、BJT 饱和区 不同

1、深刻理解并记住工作在开关状态下，两种器件工作在何种工作区？

三极管：从左到右  依次为  饱和、放大、截至    开关状态下是工作在截至与饱和区之间

MOS：从左到右  依次为可变电阻（非饱和区、完全导通区）、饱和（横流区、放大区、有源区、线性区）、截至   开关状态下是工作在截至和可变电阻区

备注：只能说名字起的跟个shit一样  乱起八糟。。。。

 

2、三极管的饱和区与MOS管饱和区有什么不同？饱和是指什么？

对BJT来说，饱和指的是载流子浓度，处于饱和区时，BJT的EB结和CB结均为正向状态，由于E/C的注入效率不同而形成从E到C的净流动，且Vce很小，即Ice-Vce曲线上比较陡峭的区域，作为开关应用的BJT通常工作在这个模式。而Ice-Vce曲线上比较平坦的区域为放大区或线性区，这是因为这个区域的Ice与Ibe比值近似于常数，也就是说Ice与Ibe近似为线性关系，这个模式常用于线性放大器。

对MOSFET而言，饱和指的是载流子的速度，即电压Vds增加时，载流子速度不再增加，若Vgs确定（反型层载流子浓度确定），电流Ids不再随Vds增加而增加，即MOSFET的Ids-Vds曲线中比较平坦的区域。而曲线的陡峭区，Ids近似随Vds线性变化，所以这个区域被称为MOSFET的线性区，作为开关应用的MOSFET工作在此区域。
 

参考文献：https://www.zhihu.com/question/61128178?sort=created

 

3、无论是MOS 还是三级管  从开到关的切换过程中会经过中间那个区域，造成开关损耗

：如下图,从a到e点  会经过中间那个区域

 

参考文献：http://www.kiaic.com/article/detail/1729