充分利用MSP430的FLASH储存空间

充分利用MSP430的FLASH储存空间

作者:jdzj868  来源:机电之家下载站  录入:jdzj868  更新时间：2009-12-7 16:43:38  点击数：0

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今天把MSP430的FLASH调了一下，发现我们可以利用430自身的FLASH，而不必去扩充EEROM来储存用户的数据。 用途：可用来存储A/D采集的数据，如果是常量就不要用这种方法了，直接"CONST"就行了，编译器自动储存到FLASH里。 具体方法：  先把完整的程序编好(不包括FLASH的)，然后编译（我用的是IAR,CCE没试过），进行在线仿真（软仿真硬仿真均可），在菜单栏选择"View/Memory",然后就可以看到FLASH 各个地址的数据了，记下FLASH 还没有被程序占用的空间的地址，然后将FLASH的程序加到你的主程序里，再编译，检验你记下的地址是否被程序占用，如果占用就选择一个新的地址就可以了。然后就可以向FLASH里写数据了。 注意事项： 不要向有程序代码的空间写数据，那样会导致程序运行不正常；            写数据之前要先擦除；            不要向0段FLASH里写数据，那里面有你程序中的中断向量；            最好选择每段的起始地址作为数据储存的首地址； 总结： 这种方法不需要扩充外存储器，可以降低系统的复杂度和系统功耗。        我也不知道这种方法实用不实用，既然有这种方法，我就发上来了，分享一下^_^。 代码如下：   // 注意时钟源的选择，flash_clk:500k(官方资料是250K—475K) //********************************************************************************** #include  <msp430x16x.h> #include"FLASH.H" //addr:FLASH的一个段首地址， value:数组名 count:要储存的数据个数 //把FLASH地址、数组名 和要存储的数据的个数 赋给下面的函数，就可以写入了 //********************************************************************************** void write_flash_char (unsigned int addr, char *array,int count) //写 char型数组 {   char *Flash_ptr;                          // Flash pointer   int i;   Flash_ptr = (char *)addr;                 // Initialize Flash pointer   FCTL1 = FWKEY + ERASE;                    // Set Erase bit   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit   *Flash_ptr = 0;                           // Dummy write to erase Flash segment    FCTL1 = FWKEY + WRT;                     // Set WRT bit for write operation   for (i=0; i<count; i++)   {     *Flash_ptr++ = array[I];                // Write value to flash   }   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit } //********************************************************************************** void write_flash_int (unsigned int addr, int *array,int count) //addr为段首地址，写 int型数组 {   int *Flash_ptr;                           // Flash pointer   int i;   Flash_ptr = (int *)addr;                   // Initialize Flash pointer   FCTL1 = FWKEY + ERASE;                     // Set Erase bit   FCTL3 = FWKEY;                             // Clear Lock bit   *Flash_ptr = 0;                            // Dummy write to erase Flash segment    FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation   for (i=0; i<count; i++)   {     *Flash_ptr++ = array[I];                 // Write value to flash   }   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit } //********************************************************************************** char read_flash_char0(unsigned int addr) //读单字节 { char *address;   address=(char*)addr;   return *address; } //********************************************************************************** //把FLASH地址、数组名 和要读取的数据的个数 赋给下面的函数，就可以读入了 void read_flash_char1(unsigned int addr,char *array,int count) //读一串数据 { char *address=(char *)addr;   for(int i=0;i<count;i++)    {      array[I]=*address++;          } } //********************************************************************************** int read_flash_int0(unsigned int addr) //偶地址,读一个字 {  int *address=(int *)addr;  return *address; } //********************************************************************************** void read_flash_int1(unsigned int addr,int *array, int count) //读整形数组 {  int *address=(int *)addr;  for(int i=0;i<count;i++)    {      array[I]=*address++;          } } //********************************************************************************** void init_flash(void) {  FCTL2 = FWKEY + +FSSEL1+FSSEL0 + FN0;   // (DCO)SMCLK/2 for Flash Timing Generator  }