W25Q128数据手册翻译（1）

1 概述

W25Q128FV(128Mbit)型串行Flash存储器面向受限于空间、引脚和功耗的系统，提供了一种存储解决方案。25Q系列存储器相比于普通的串行Flash器件提供更好的灵活性和性能表现。它们是代码存储、代码直接通过双线/四线SPI运行、存储音频、文本和数据的理想选择。该器件可在2.7V到3.6V的供电电压下工作，工作时电流消耗最低4mA，在掉电模式下消耗仅1uA。所有的器件都提供节省空间的封装。

W25Q128FV存储阵列组织成65536个可编程的页，每个页包含256字节。一次最多可以编程256字节。页的擦除可以按照16页/组（4KB的扇区擦除）进行、按照128页/组（32KB的块擦除）进行、按照256页（64KB的块擦除）进行、或者整芯片进行擦除。W25Q128FV有着4096个可擦除的扇区，或者说是256个可擦除的块。扇区的较小的尺寸（4KB），允许在需要数据或者参数存储的应用中实现更好的灵活性。

W25Q128FV支持标准的串行外设接口（以下称SPI），双线/四线IO模式SPI，以及2周期指令的QPI接口：包括串行时钟，数据选择，串行数据IO0，IO1，IO2（/WP），IO3（/HOLD）。SPI时钟频率最高可达104MHz，因此在双IO SPI模式下等效于208MHz，四IO SPI/QPI模式下等效于416MHz。这些传输速率比标准的异步8位或者16位并行Flash存储器表现得更好。连续读模式可以实现高效的存储器访问，其只需要消耗8个时钟的前导指令，外加24位的地址，从而实现完全的XIP(execute in place)操作。

芯片提供