三星开启业界最大规模的 20nm 闪存生产线

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这条消息解读起来还真的是有点故事。简单讲，三星电子有一条新的半导体生产线竣工投产，官方将其定义为全球最大规模，最先进的半导体生产线，主要产品为 20 纳米级 NAND 闪存，同时基于此，三星将实现 20 纳米级 DDR3 内存的量产，同时生产效率将提升，能耗会降低。实际上，在三星和苹果交恶之后，苹果开始转移一部分 DRAM 和 NAND 闪存订单到日本，比如东芝和尔必达（Elpida Memory），三星在这个时刻放出这条消息，显然是为了告诉业界，其还是 NAND 闪存制造界的老大。按照这个技术规格来讲的话，明年会有 20nm 工艺最大单条 32GB 内存出现，好大啊，可惜我们的钱包貌似没大的这么快。

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