记阵列卡电池失效引起的IO性能故障

一台Dell服务器，购于2009年，安装ESX 4.1，近日陆续接到使用部门反映“VM运行缓慢”。

观察机器上开着的VM约10余台，CPU使用率约50%，内存的使用率约60%，负载不重。

该机器存储的平均写入/读取滞后时间（50ms）明显高于其他机器（5ms），怀疑瓶颈在IO。

同时机器Raid 卡电池报错，处于health not good 状态（已有数周时间，因采购手续再加上觉得问题未及时更换）。

然后查看阵列卡TTY日志，

Current Cache Policy: WriteThrough, ReadAdaptive, Direct, No Write Cache if Bad BBU

HDD0 Media Error Count: 2

Cache Policy为WriteThrough 而非 WriteBack。

果断联系供应商立即送块电池来，更换电池后恢复正常，观察性能图表，滞后时间在5ms左右。

原因是BBU处于Learning 状态，自动把Cache策略改为WriteThrough.

感谢大神的文章：http://www.igigo.net/archives/251