三极管漏电流导致MOS无法关断，根源在于开关电源纹波过大……

今日做两个项目，传感器测试仪和电机测试仪，cortexA8架构，Android操作系统，手持外形设计。

硬件做到硬件调试阶段，MOS管无法关闭问题调了2天也没解决，一直怀疑是MOS端问题。

设计如下图：

EN控制12V电源的通断，此设计在我以前设计的手持端用过，是经过验证可以使用的设计，虽然有改进余地。但是到了这里MOS管永远常开，测量R6下端电压为7.2V，使得VGS=-3V以上，MOS管打开，但是理论上R6下端电压应为12V。将R6电阻逐渐减小，直到降到510欧姆，表现一样。

直接换0欧姆可以工作，但是三极管一旦打开，12V跟GND短路。

于是换成如下电路：

EN悬空，将R1换成0欧姆直接短地，测得VCC_12V是12.36V，R3上端为12.23V，R3下端为9.63V。

问题竟然在Iceo不为0，三极管产生漏电流。

终于接近问题的答案：

前款设计为锂电池供电，电源电压稳定。

此方法为DC-DC降压到12V，测量纹波峰峰值有100mv，电感的脉冲仍在。

三极管将高频谐波进行了功率放大，导致了漏电流的存在。

得出原因后可以解释另一个现象：

图一的设计在低电压10V以下时，MOS管工作正常，再将电压提高到24V的过程中，MOS管就打开了，刚测量DC-DC的纹波，在10V以下，没有高频谐波，波形表现白噪声，10V以上混入高频谐波，为电感所生，为DC-DC的转换频率。

解决方案为：1.加大DC-DC电感感值和电容容值，将电源纹波降下来；

2.如还不能解决，更换三极管。

今天周五，阴天，不利于焊接操作，中发也已经关门，明日周六，中发还有人，去选电感（10uh换成15uh）和电容（电容已经是1210瓷片电容最大容值100uf，应加到330uf左右）。

明日抑制电源噪声后，测试，再上结果！

更换150uh电感后，电源噪声得到了抑制，加电容意义不大，应在电路设计时增加表贴电容容量。

但三极管仍有穿透电流流过，重新选择一款三极管。