飞思卡尔 HCS12(x) memory map解说之2

接着上次的说吧。

首先问一个问题：
中断函数为什么要加：#pragma CODE_SEG __NEAR_SEG NON_BANKED 这个声明？这个声明是干什么用的？

这要还是要从FLASH分页和非分页的区别说起。
   

      下面详细说一说，FLASH里非分页和分页的使用。 要明白一点，分页是不可见的，要用的时候PPAGE参与寻 址。
  

   1 FLASH里非分页工作机制
  

     FLASH一共为128K，一页是16K，那么应该有8页才是，但是实际只有6个分页。有2个非分页放在4000-7FFF ，和C000-FFFF两个逻辑地址窗里。那么，当程序的寻址在64K之内（2^16=64K,16位机的寻址能力是64K）时， 就不用分页了，直接使用那两个非分页的数据。实际上，3E页 3F页是可见的，其实他们就是那2个非分页的映 射。因此，使用非分页FLASH，就不须设置PPAGE寄存器，直接使用逻辑地址即可。见图1。
  

      这点我们可以从以下看出：

/* non-paged FLASHs */
      ROM_4000      = READ_ONLY     0x4000 TO   0x7FFF;
      ROM_C000      = READ_ONLY     0xC000 TO   0xFEFF;
PLACEMENT
      NON_BANKED,    INTO  ROM_C000/*, ROM_4000*/;
   
    很直观地看出，把这两个可以直接使用逻辑地址的页面设为NON_BANKED, 那么中断函数放在NON_BANKED里 ，就可以把函数放在64K的寻址程序段中。这么一来，进中断就方便多了，效率也高很多。这就是对本文开篇 的解释。
   

    大家记住这一点，在XS128里也有类似的一招。
  

     2  FLASH里分页工作机制
   

     好了，上面是3E页 3F页是可见的分页区，还有3D 3C 3B 3A 39 38不可见的分页区。当你的程序要寻址 64K以外的空间，即不是是可见的3E页 3F页时，就要涉及分页了。
   

     PPAGE是MMC模块的东西，我搞了个图片大家看看，如图2。每一页在DG128中的逻辑地址都是由PPAGE中的 页号和重叠窗口内地址组成的24位绝对地址。通过设置寄存器PPAGE，可以使用全部的FLASH空间。例如：程序 要将数据存入$3D页，设置PPAGE的值为$3D，那么逻辑地址范围说是$3D8000-$3DBFFF。有一点要注意：为了分页描述的完整性，可以如下理解：对于3E页 3F页有两个逻辑地址映射到物理地址。拿3E页来说，有$004000-$007FFF和$3E8000-$3EBFFF。
  

      对于程序是如何寻址，这个是内核的东西，大家可以看看CPU这个文档。
  

      通过分析，相信大家知道地址这个东西是非常有用的吧。下次说说XS128，XS128的RAM FLASH EEPROM都可 以分页。更高级，更主动，编程弹性更大。

  
                                                               图1

 

                                    图 2