CCS编译优化与volatile

开发环境：CCS3.1，DM642开发板

在保存几百K的数据参数时，因为擦写Flash的时间较长，擦写过程中没能喂看门狗而导致系统重启，写数据失败。于是我考虑改写Flash的擦写函数，在擦写过程中加入喂狗函数。我在bsl源码中找到了EVMDM642_FLASH_write()和EVMDM642_FLASH_erase()，拷贝到我的工程，修改了函数名，编译后用仿真器加载Debug版测试通过，而后将Release版烧写到DSP上测试，却发现根本没有擦写过一个字节。

参考了张进东的博客“CCS优化编译引起的问题”，才知道编译优化引起的问题。但是将整个工程的Opt Level设为None还是比较可惜的，因为Opt Level = File确实对程序的执行速度优化了。解决方法有两个：

1. 对函数中所有变量加volatile（推荐）

例如将

*((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_BASE+0xAAA) = 0xaa;

改为

*((volatile Uint8 *)(EVMDM642_FLASH_BASE+0xAAA)) = 0xaa;

2. 将函数放入单独的文件中，将该文件的“File Specific Options –> Compiler”的Opt Level设为None