半导体二极管笔记

 

 

 

半导体二极管的参数:
1.最大整流电流If:二极管长期连续工作时,允许通过二极管的最大整流电流的平均值(PN结正向偏置特性)。
2.反向击穿电压Ubr:二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压。
3.最大反向工作电压Urm:为安全起见,在实际工作时, 最大反向工作电压Urm一般只按反向击穿电压Ubr的一半计算。
4.反向电流Ir:反向电压小于最大反向工作电压时的它的电流。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级;锗二极管在微安(uA)级。硅二极管的反向特性比锗好些。
5.正向压降Uf:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V。
6.动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,rd与工作电流的大小有关,即rd=△Vf/△If。

 

 

 

 

国家标准对半导体器件型号的命名举例如下:

2AP9
第一个数字:2代表二极管，如果是3代表三极管
第二个字母:A代表半导体的材料,A代表N型的锗(Ge),B代表P型锗(Ge),C代表N型硅(Si),D代表N型硅(Si)
第三个字母:代表半导体器件的类型型号,P代表普通管
第四个数字:代表同类型器件的不同

 

 

 

半导体二极管的温度特性:
半导体二极管实际就是一个PN结,PN结具有热敏的特性，就是导电特性随着温度的变化。
温度对二极管的性能有较大的影响,温度升高时,反向电流将呈指数规律增加,如硅二极管温度每增加8摄氏度,反向电流将约增加一倍;锗二极管温度每增加12摄氏度,反向电流大约增加一倍。可以看出锗二极管反向温度特性比硅二极管好些。另外,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1摄氏度,正向压降Vf(Vd)大约减小2mV,即具有负的温度系数。硅二极管约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V。但温度升高时,正向导通电压将减小。