SDRAM操作原理分析

芯片原理图

引脚原理图

指令

    通过对上面指令的总结，简化出要用到的指令如下：

指令	常量名	CKE	CSn	RAS	CASn	WEn	备注
空操作	NOP	1	0	1	1	1
行激活	ACTIVE	1	0	0	1	1
读操作	READ	1	0	1	0	1
写操作	WRITE	1	0	1	0	0
预充电	PR	1	0	0	1	0
自刷新	AR	1	0	0	0	1
设置寄存器	LMR	1	0	0	0	0
突发停止	BURST_STOP	1	0	1	1	0	1

 

芯片配置

操作模式：SDRAM内部有三种操作模式：单一的读写、突发读写、页读写（突发读写全页）

突发传输模式：一般情况下都采用顺序读写操作；

CAS潜伏期：即发出读指令之后，经过多少个时钟周期才可以读取数据，而在写数据中是没有这个概念的。

突发长度：突发就是连续读写的操作，如果没有突发操作，对SDRAM内部连续地址进行读写则要发送指令和地址，然后读取或写入数据，循环操作，有了突发操作后，就可以制定突发长度，发送读写的起始地址然后对SDRAM进行连续的读写，突发的长度可以设置，突发全页就是连续操作一行，就是256个存储单元。

初始化时序图

初始化操作过程如下：

1. 上电等待 200us
2. 发送 PR 命令
3. 满足 tRP 时间要求至少 20ns
4. 发送 AR （ AutoRefresh ）命令
5. 满足 tRFC （ tRPC 又名 tRCC ）时间要求至少 63ns
6. 发送 AR （ AutoRefresh ）命令
7. 满足 tRFC （ tRPC 又名 tRCC ）时间要求至少 63ns
8. 发送 LMR （ LodeModeRegister ）命令和相关配置信息
9. 满足 tMRD 时间要求至少 1 个时钟

 

定时自动刷新

存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms，也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms 。我们在看内存规格时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms 或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，这里的4096与8192就代表这个芯片中每个L-Bank的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096行时为15.625 μs，8192行时就为7.8125 μs。

刷新操作分为两种：Auto Refresh，简称AR与Self Refresh，简称SR。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于AR，SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS 在RAS 之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为9个时钟周期（PC133 标准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这9个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms之后则再次对同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新。显然，刷新操作肯定会对SDRAM 的性能造成影响，但这是没办法的事情，也是DRAM 相对于SRAM （静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。

操作过程如下：

1. 先发送 Precharge 命令，命 SDRAM 释放所有资源库。
2. 相关操作需要消耗时间 tRP-20ns 。
3. 发送 AutoRefresh 命令，命 SDRAM 刷新内部逻辑的内容。
4. 相关操作需要消耗时间 tRFC-63ns 、
5. 发送 AutoRefresh 命令，命 SDRAM 刷新内部逻辑的内容。
6. 相关操作需要消耗时间 tRFC-63ns 。

写操作

    SDRAM的写操作有两种模式，如下

Write with Autopre-charge：每当一次性的写发生以后，SDRAM自动释放相关的资源库，以方便下一次的写操作。相反则需要手动进行释放，一般采用Write with Autopre-charge。

两者的区别就是A10的电平高低。

操作过程如下：

1. 发送 Active 命令，发送库（ Bank ）和行（ Row ）地址信息。
2. 满足 tRCD 时间要求，至少 20ns 。
3. 发送 Write 命令、库（ Bank ）和列（ Column ）地址； A10 拉高代表 With Auto Precharge ；
4. 同时写入的一字数据。这时候 DQM 必须拉低。
5. 满足 tWR （ tDPL ）时间要求，至少 2 个时钟。
6. 满足 tRP 时间要求，至少 20ns 。

经过时间tWR（tDPL）以后，一字数据就成功被写入。随后SDRAM开始执行Auto Precharge的操作，释放当前相关的资源库。最后经过tRP以后（Auto Precharge的操作完成）。

 

读操作

1. 发送 Active 命令、行（ Row ）和库（ Bank ）地址。
2. 满足时间要求 tRCD-20ns 。
3. 发送 Read 命令、列（ Column ）和库（ Bank ）地址， DQM 拉低，拉高 A10 一个时钟，表示读操作后自动释放资源库（ WithAutoPrecharge ）。
4. 满足 CAS Latency 时间要求
5. CAS Latency 满足之后，接下来满足时间要求 tAC-6ns 、 tRP-20ns ，然后读取数据。