NOR与NAND闪存对比

基于 NOR 的 Flash 技术比较早，它支持较高的读性能，但以降低容量为代价。

NAND Flash 提供更大容量的同时实现快速的写擦性能。NAND 还需要更复杂的输入/输出（I/O）接口。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些；而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。

 
 1 性能比较 

任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。总体来说，对于NOR器件和NAND器件，基本上有以下结论：

(1)NOR的读速度比NAND稍快一些。 

(2)NAND的写入速度比NOR快很多。 

(3)NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 

(4)大多数写入操作需要先进行擦除操作。 

(5)NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 

 

2 接口差别 

NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，基于NAND的存储器可以取代硬盘或其他块设备。 

 
3 容量和成本 

NOR Flash占据了小闪存（不足100MB）市场的大部分，而NAND Flash则是倾向于大闪存（100MB至几百MB甚至GB），这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

 
4 可靠性和耐用性 

可以从寿命(耐用性)、位反转和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。 

NOR闪存只有约10万次的擦写次数，很少位反转问题，没有坏块处理问题；NAND闪存则有100万次的擦写次数，但是有较高的bit位反转问题，需要通过错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法来纠正数据，NAND闪存的坏块是随机分布的，需要通过标记坏块来做处理。

 
5 软件支持 

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。