拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体;In3SbTe2晶体;InBi晶体;InSb晶体;InSiTe3晶体
材料名称:In2Te5晶体性质分类:拓扑材料+热电材料+红外材料禁带宽度:~1eV尺寸:10平方毫米25平方毫米合成方法:CVT剥离难易程度:难材料名称:In3SbTe2晶体性质分类:相变材料,金属性层状材料合成方法:CVT尺寸:10平方毫米25平方毫米剥离难易程度:易保存注意事项:晶体稳定,不需要特殊保存材料名称:InBi晶体性质分类:拓扑绝缘体合成方法:CVT尺寸:10平方毫米25平方毫米10