车载毫米波雷达及芯片新趋势研究2--“CMOS+AiP+SoC”与4D毫米波雷达推动产业越过大规模发展临界点
2.1MMIC芯片工艺发展至CMOS时代,芯片集成度更高、体积与成本下降MMIC芯片工艺经GaAs、SiGe已发展至CMOS时代,CMOSMMIC具有更低成本、更高集成度的优势。工艺的主要变化发生在MMIC芯片的射频材料部分,目前SiGe仍为主流工艺。SiGe虽在高频特性、导热性等方面据有优势,但SiGeMMIC大多为分立式,造成雷达整体体积较大使其应用前景受到限制,同时相较集成度更高的CMOS