：Task将k8s-node1节点设置为不可用，然后重新调度该节点上的所有Pod注意，如果题目要求先切换K8S环境，需执行K8S切换环境分析做题步骤1、打开官网(真实考试需要在官网的搜索界面搜索关键词drain

Drain：AnOnlineLogParsingApproachwithFixedDepthTree文章目录Drain：AnOnlineLogParsingApproachwithFixedDepthTree1

.zone的作用是为了防止内存出现碎片化，p142.类的引用计数统一存在哈希表里，以对象内存为key，p193.自动释放池的实现原理：p26pool内部维护一个数组，持有所有自动释放对象，当pool被drain

目录01、考核知识：基于角色的访问控制-RBAC题目内容题目内容中文解释官方文档搜索关键字：RBAC做题解答02、考核知识：节点维护-指定node节点不可用题目内容题目内容中文解释官方文档搜索关键字：drain-node

也就是网路链路中能保存的最大数据包数量(inflight)bbr判断网路带宽条件不是rtt,不是ack数量，是BDP.四个阶段startup,drain,probebw,probertt.其中probebw

BBR声称anti-bufferbloat且内置状态机有主动drain，所以题目中使用了“侵占”，也可以用“吞占”。

等同于kubectluncordon2.驱逐该节点上已有的资源调度到其他节点#https://kubernetes.io/zh/docs/tasks/administer-cluster/safely-drain-node

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、Deployment1.3、DaemonSet1.4、查看创建的svc和pod1.5、kubectl命令自动补全设置二、集群管理命令2.1、top2.2、cordon2.3、uncordon2.4、drain2.5

dispatch_get_global_queue(DISPATCH_QUEUE_PRIORITY_DEFAULT,0)获取到的线程）的每个eventloop开始前，系统会自动创建一个autoreleasepool，并在eventloop结束时drain

今日工作记录：对于客户系统版的调试：调试了FB电阻，进行了5次实验，每次都有记录电压电流和温度，基本上每隔30分钟记录一次DRAIN端电压又下降0.3V左右，VLED电压又下降，功耗有下降了，温度并没有上升

MOS的工作原理就像一个水库，Gate就是闸，闸抬起来(VGate≥Vth)电流就可以流过沟道(Channel)，闸放下去(VGateVth，Drain端电流随VDS(Drain→Source电压)增

1.一共有七种可用的代码，包括（SLCT、IPLoM、LKE、LogSig、POP、DrainV1、Drain），每种代码都对应着一篇论文。

MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain）图片引用：htt

k8s调度一、什么是k8s调度二、nodeName三、nodeSelector3.1、配置示例3.2、节点亲和性3.3、亲和性与反亲和性四、Taints污点五、tolerations容忍六、cordon、drain

目录功能框图输出模式推挽输出Outputpush-pull开漏输出Outputopen-drain输入模式模拟输入Analog上拉/下拉/浮空输入Inputpull-up/pull-down/floating

0树结构1算法第一步：通过专业知识对消息进行预处理2算法第二步：通过日志消息长度进行搜索3算法第三步：通过前面的tokens进行搜索4算法第四步：通过token相似度搜索5算法第五部：更新解析树论文《Drain

节点反亲和1.pod亲和2.pod反亲和四.Taints(污点)1.Nodename可以无视任何污点2.测试标签能否无视污点3.添加容忍4.NoSchedule5.NoExecute6.cordon、drain

MOSFET的三端标记分别为G,S,D(Gate,Source,Drain),电路符号有多种形式,最常见的如下图所示,以一条垂直线代表沟道(Channel),两条和沟道平行的接线代表源极(Source)

可读流案例//文件可读流创建和消费constfs=require("fs");letrs=fs.createReadStream("test.txt",{flags:"r",encoding:null,fd:null,mode:438,autoClose:true,start:0,//end:3,highWaterMark:4,});//rs.on('data',(chunk)=>{//conso

待pool对象在其所属的NSRunLoop循环一次完成，准备释放（drain）时，对“数组”中的所有对象依次调用release方法。此时ARC再对对象进行内存管理。

P沟道MOS管做开关管pmos管作为开关使用时，是由Vgs的电压值来控制S（source源极）和D（drain漏极）间的通断。

原文标题：ZeroDowntimeServerUpdatesForYourKubernetesCluster发布时间：Jan26,2019原文链接：https://blog.gruntwork.io/zero-downtime-server-updates-for-your-kubernetes-cluster-902009df5b33文章作者：yorinasub17在Kubernetes集群的生

原文链接：http://www.sootoon.cn/industry-news/unclog-drain-industry-standard/管道疏通清洗服务与各行各业一样，都是有自己的行业标准的。

fromheadtotoereadingtime：aspicyure图片发自Appcereal谷物lap膝row排，行charm魔力，魅力，小饰品；使…陶醉principal’soffice校长办公室grin露齿而笑drain

电量消耗的计算与统计是一件麻烦而且矛盾的事情，记录电量消耗本身也是一个费电量的事情。唯一可行的方案是使用第三方监测电量的设备，这样才能够获取到真实的电量消耗。当设备处于待机状态时消耗的电量是极少的，以N5为例，打开飞行模式，可以待机接近1个月。可是点亮屏幕，硬件各个模块就需要开始工作，这会需要消耗很多电量。使用WakeLock或者JobScheduler唤醒设备处理定时的任务之后，一定要及时让设备

^今天是Day15的打卡词是“drain”。“drain”这个词同样也是特别特别实用的一个单词

【3】开漏、开集电路详解下面是看完上面几篇文章的笔记~~~推挽电路&开漏电路1、推挽电路（Push-Pull）2、开漏电路(Open-Drain)1、推挽电路（Push-Pull）推挽电路的主要组成部分是三极管

论文名称：Drain:AnOnlineLogParsingApproachwithFixedDepthTree1、简介image.pngdrain算法的全称是depthtreebasedonlinelogparsingimage.png

3、处理每个日志条目e的时间复杂度接近于线性（和e的大小线性相关），比drain小多了。2、Spell1、LCS问

场效应管有3个管脚：G—栅极（gate）D—漏极（drain）S—源极（source）  对于JFET来说电压VGS越大，电流ID越小。  

7nm指的就是上图中SOURCE和DRAIN之间的距离，也

技术：我们可以使用命令操作kubectldrain官方文档：https://kubernetes.io/docs/tasks/administer-cluster/safely-drain-node/https

将数据统一收集后，最后才flush到持久化文件中Key：pmem_memcpy_nodrain() //若数据地址是持久化数据，将数据先导入pmem的缓存中，并不会flush到持久化文件中pmem_drain

cordon,drain,uncordon这三个命令是正式release的1.2新加入的命令，三个命令一起介绍，是因为三个命令配合使用可以实现节点的维护。

drain

FROM：GPIO的推挽输出和开漏输出open-drain与push-pullGPIO的功能，简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。

剧情climax(高潮)-限时营救随着他用隐形cloak（披风）cloak（掩饰）自己从drain(下水道)中逃出league（联盟）dominant（统治的）domain（范围），整部剧也达到了climax

2019独角兽企业重金招聘Python工程师标准>>>今日在设置引脚输出的时候，本想设置为open-drain输出，然后对其输出高低。但是发现无法输出高（初始化为开漏低电平），始终为低。

增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件增强型N沟道mos管的S（source源极）和D（drain漏极）导通条件取决与Vgs，即栅极和源极间的电压压差。

一.什么是OC、OD集电极开路门(集电极开路OC或源极开路OD)open-drain是漏极开路输出的意思，相当于集电极开路(open-collector)输出，即ttl中的集电极开路（oc）输出。

一.什么是OC、OD集电极开路门(集电极开路OC或源极开路OD)open-drain是漏极开路输出的意思，相当于集电极开路(open-collector)输出，即ttl中的集电极开路（oc）输出。

kubernetes调度二、nodeName方式调度三、nodeSelector方式调度四、亲和与反亲和调度节点亲和nodeaffinitypod亲和性和反亲和性五、Taints污点调度六、cordon、drain

1.三个极怎么判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2.N沟道还是

消节点⑤编译：P-C⑥导入PCB:Design-UP⑦分割框：place-drain-line⑧自动编号：tools—anootateschematics—retall-----UpdateChangesList

优点：支持全双工，push-pull的驱动性能相比open-drain信号完整性更好；支持高速（100MHz以上）；协议支

1USB3.0标准A插头2VOOC原理Figure2-1VOOC快充适配器Figure2-2VOOC快充数据线VOOC充电适配器利用了USB3.0的socket，但是数据线认证只用了3.0的5根线中间的GND_DRAIN

推挽（push-pull）:推挽输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET，当Q1导通、Q2截止时输出高电平；而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平。一个导通另一个就截止。集电极开路:输出端相当于孤立三极管的集电极.要得到高电平状态需要上拉电阻才行.适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内）。1集电极开路输出的结构1>如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所

在电路设计时我们常常遇到开漏（opendrain）和开集（opencollector）的概念。所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示：组成开漏形式的电路有以下几个特点：1.利用外部电路的

在电路设计中我们常常要用GPIO口来进行外围电路的控制，最近在电路设计中需要用到GPIO口来控制外部三极管的导通或者截止，如类似下图电路的控制：这时，在GPIO控制管脚的选择上就要注意了，不能选择Open-Drain