MR10Q010

使SPI MRAM MR10Q010适应在3.3vI/O系统中的操作

EverspinMR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。具有用于QuadSPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。Everspin代理英尚微电子提供产品相关技术支持及应用解决方案。EverspinMR10Q010四路SPI串行MRAM需要3.3vVdd电源，并设计为可在1.8v总线I/O上运
英尚微电子·2020-08-21 04:36

使SPI MRAM MR10Q010适应在3.3vI/O系统中的操作

EverspinMR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。具有用于QuadSPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。Everspin代理英尚微电子提供产品相关技术支持及应用解决方案。EverspinMR10Q010四路SPI串行MRAM需要3.3vVdd电源，并设计为可在1.8v总线I/O上运
英尚微电子·2020-08-11 18:40

使SPI MRAM MR10Q010适应在3.3vI/O系统中的操作

可以通过电平转换器将MR10Q010连接到总线，从而使MR10Q
英尚微电子·2020-08-07 15:37

分享一款MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPI MRAM

EverspinTechnologies的具有QuadSPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。
宇芯电子·2020-08-06 15:06
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