MRAM

RAM（随机存取存储器）都有哪些？（超详细）

动态随机存取存储器）3.SDRAM（同步动态随机存取存储器）4.DDRSDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）5.RDRAM（Rambus动态随机存取存储器）6.VRAM（视频随机存取存储器）7.MRAM
嵌入式-JY老师·2024-09-13 00:57

MRAM汽车行业高性能存储器解决方案

RAMSUN提供的MRAMNetsol基于性能设计，其MRAM支持快速数据读写操作，支持OctalSPI(OPI)，工作频率高达200MHz，数据传输速度高达400MBps。
EVERSPIN·2024-09-01 01:40

知存科技助力AI应用落地：WTMDK2101-ZT1评估板实地评测与性能揭秘

本文将探讨存算一体芯片的发展历程、当前研究状态，以及基于多种存储介质（例如传统的DRAM、SRAM和Flash，以及新型的非易失性存储器如ReRAM、PCM、MRAM、FeFET等）的存内计算基本原理、
herosunly·2024-01-21 21:50

Apollo4 Blue 入门介绍，资料和SDK

它基于带有浮点单元(FPU)的32位Arm®Cortex®-M4内核构建，并具有高达2MB的MRAM和1.8MB的SRAM。
菜鸟高工·2024-01-21 10:45

刷机、rom与我所使用过的安卓机

联想a278t这是一部运行andriod2.3.5系统，512mram的手机，上文的“珠圆玉润”说的
caribow_eee·2024-01-15 10:08

开放原子线下训练营---STM32H7搭载TobudOS开发心得

其硬件资源的介绍如下所示：官网开发板特性：内置TobudOS开源物联网操作系统意法半导体高性能处理器，最高主频480M1MRAM；
菜鸟小码农的博客·2023-12-25 18:25

【MCU-DEBUG】keil5优化等级修改后为O2后MRAM读取数据不对

keil5优化等级修改后为O2后MRAM读取数据不对#defineBYTE_TO_DWORD(pbyte)((UINT32)((*((pbyte)+0))>24);*(UINT8*)(address+1
待什么青丝·2023-12-17 21:10

Y460A 安装黑裙，大神的教程

CPU：i7-620mRAM：8G-DDR3网卡：1）内置千兆（Intel82577LMGigabitNetworkConnection）2）ExpressCard扩展网卡（千兆RTL8111）引导U盘
zouyanggary·2023-11-19 14:06

未来10年，NAND 与DRAM依然是存储主角

剩下的NOR、(NV)SRAM/FRAM、EEPROM、新型非易失存储(PCM,ReRAMandSTT-MRAM)等占比3.8%。。2023整体存储市场将达到800亿美元。
古猫先生·2023-11-16 01:48

嵌入式Linux fbtft（SPI TFT屏）驱动移植及调试

2、嵌入式开发板，我用的是NanoPi-NEO，全志H3芯片，256MRAM。3、TFT屏一块，我用的是ST7735S，128X128分辨率。
可望*-*·2023-11-15 19:12

hi3518ev200 从sd卡启动rootfs

板卡为hisi的hi3518ev200，16MRAM，64MFlash。板卡不支持从SD卡启动，但是由于Flash空间有限，很多应用都放不下，因此考虑把rootfs放到SD卡中。
duapple·2023-11-08 23:18

汽车电子MRAM非易失性解决方案

MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性，是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器，最为理想。MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。
EVERSPIN·2023-10-11 18:09

国产发力，长存入局｜相变存储器PCM是SCM的未来吗？

SCM存储级内存一直在不断的研究中，MRAM，ReRAM，PRAM等等。3DXpoint（其实也是PCM，相变存储器）出现，凭借低延迟的优势，填补了N
古猫先生·2023-08-27 15:16

MRAM制造生产厂家Everspin

Everspin在设计制造MRAM和STT-MRAM、xSPIMRAM等方面处于翘楚，进入数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用。
EVERSPIN·2023-08-24 14:27

MRAM在不影响系统性能下取代nvSRAM

RAMSUN提供的MRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。nvSRAM是通过将标准的6晶体管SRAM与每个单元中的非易失性EEPROM存储元件相结合来构建的。单元的总复杂性为12个晶体管。
EVERSPIN·2023-07-25 17:45

小米路由R3G Breed 刷Padavan/openWRT固件

小米R3G这款路由器，采用MT7621A处理器，256MRAM，128MROM，全千兆网口，且价格便宜（60CNY左右），是一款十分值得折腾的路由器，推荐想要折腾路由器的新手入手。
caomang23·2023-06-07 05:04

OpenWRT配置IPV6

准备材料智博通WG3526路由器(MT7621A16MROM,512MRAM)中国移动光纤入户(使用PrefixDelegation前缀委托模式)刷机OpenWRT18.06forZBTWG3526持续捅住
feibaoxiu·2023-04-07 11:32

新存储器技术时代开启，应材推出新存储器大量生产技术

新型存储器中，包括MRAM、ReRAM与PCRAM等将提供独特的优点。但是，这些存储器所采用的新材料，为大量生
芯方向s·2023-03-23 04:55

哪种存储器是非易失的_非易失性存储器

新型易失性存储器分别为1.铁电存储器(FeRAM)2.磁性随机存储器(MRAM)3.相变存储器(OUM)。
weixin_39622138·2023-03-21 19:54

哪种存储器是非易失的_五种新兴的非易失性存储器技术介绍，哪个可能是未来主流？...

www.eepw.com.cn/article/202004/412518.htm这些新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存(Flash)，铁电随机存取存储器(FeRAM)，磁性随机存取存储器(MRAM
weixin_39776344·2023-03-21 19:54

非易失性存储器EEPROM

目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。
NETSOL·2023-03-21 19:48

《安富莱嵌入式周报》第248期：2022.01.10--2022.01.16

往期周报汇总地址：链接目录本周发布了两期视频教程：视频版图文版1、ARM第一款采用新安全分区架构的Morello评估板现已交付给研究人员2、三星实现基于MRAM的内存计算设备3、Qt6.3Alpha开始面向商业用户推出新版
嵌入式系统OS·2022-12-05 11:35

256Mb自旋转移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3

EMD3D256MDDR3自旋转移扭矩MRAM是一种容量为256Mb（32Mbx8、16Mbx16）DDR3的非易失性存储器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。
·2022-09-16 17:55

Everspin代理8位并行接口MRAM-MR4A08BCYS35

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
·2022-08-26 17:47

双电源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R

MR256D08BMA45R是一款容量为256Kb的磁阻随机存取存储器MRAM存储芯片，组织为32x8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。
·2022-08-18 16:55

BIZKEY便携路由刷OpenWRT

路由器参数：Flash：4MRAM：32MCPU：RT5350F通电，此路由自带锂电池连接此路由器wifi，无密码telnet192.168.100.1进入管理写入breedu-boot断电按reset
qwejia·2022-07-27 16:02

Everspin具有高达400MB/s的读写速度xSPI MRAM

MRAM先驱EverspinTechnologies其最新创新产品EMxxLX系列工业级xSPISTT-MRAM芯片，容量高达64Mb。
·2022-05-30 17:58

everspin并行MRAM芯片MR4A16BMA35适用于自动化控制器

Everspin的16兆位非易失性存储芯片MR4A16BMA35MRAM专为需要极高数据可靠性和速度的应用而设计，具有市场上最快的非易失性存储器、对称的读/写性能和无限的耐用性，使系统设计人员受益匪
·2022-04-18 18:39

Everspin授权代理商4Mb非易失性MRAM--MR2A16ACYS35

EverspinTechnologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的设计，制造领导者，其市场和应用领域的数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要
·2022-03-15 17:29

Everspin一级代理4Mb串口MRAM存储芯片-MR25H40CDF

Everspin科技有限公司是全球领先的设计,制造嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)的生产商，自从Everspin第一款产品进入市场，由于MRAM可以保持数据持久性和完整性
·2022-03-15 17:58

Everspin并行接口4Mb MRAM是汽车应用的理想选择

MRAM速度快且非易失性。实时监控的传感器数据可以实时写入，无需负载均衡或ECC开销。AEC-Q1001级合格MRAM将在发动机罩下应用的扩展温度（-40℃至125℃）内保留数据20年。
·2021-12-07 17:46

血液透析机专用非易失性Everspin MRAM芯片

本篇文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM.血液透析机使用Everspin4Mb和16MbMRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读
·2021-11-11 17:51

Everspin授权代理4Mbit非易失性MRAM芯片MR25H40VDF

Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。
·2021-10-11 16:38

基于SRAM或ReRAM的存算一体化架构及其常见稀疏方案

存算一体化架构设计以各种传统工艺（如SRAM、NorFlash）或新型忆阻器工艺（如FeRAM、ReRAM、PCM和MRAM）制作器件构建存储阵列，将神经网络权值参数直接存储在阵列内部，并以模拟信号的形式并行执行大规模矩阵乘法
Joejwu·2021-10-10 14:57

Everspin授权代理1Mb串口mram芯片MR25H10CDF

Everspin成立于2006年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的发展，是全球唯一一家专业生产销售磁性随机存取内存(MRAM)，
·2021-06-24 18:49

Everspin授权代理非易失性串口mram存储器--MR25H256CDF

MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。
·2021-06-23 17:41

非易失性MRAM数据写入与读取

一般来说，存储结构设计的核心是确保磁性隧道结所表征的数据可以快速读出，并且能够根据需要快速进行改变，另外还有一些工程上的设计比如堆叠设计、数据密度提升等。而在数据读写方面，还会存在使用磁场写入法和电流写入法两种完全不同的方法。先来看看磁场法写入数据。这种方法的核心在于数据的写入是通过字线和位线电流流过时同时产生的磁场实现对数据的改写。需要注意的是当字线或者位线二者中的一个有电流流过时，产生的磁场仅
·2021-02-22 16:26

非易失性MRAM基本知识详解

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
英尚微电子·2020-12-09 14:36

MRAM与现行各类存储器的比较

MRAM在读写方面可以实现高速化，这一点与静态随机存储器(SRAM)类似。由于磁体本质上是抗辐射的﹐MRAM芯片本身还具有极高的可靠性，即MRAM本身可以免受软错误之害。
英尚微电子·2020-11-30 16:05

MRAM工作原理分析

目前主流的MRAM利用巨磁阻效应(GMR）和磁性隧道结(MTJ)）的隧穿电阻效应来进行存储。以MTJ为例,其元胞结构包括自由层、隧道层和固定层3个层面（如图1所示)。
英尚微电子·2020-11-30 16:16

STT-MRAM的应用前景

STT-MRAM是一种颠覆性技术，可以在从消费电子和个人计算机到汽车和医疗，军事及太空等许多领域，改变产品的性能。它还有潜力在半导体工业中创造新的领域，并使尚未设想的全新产品成为可能。
英尚微电子·2020-11-20 16:43

专用播放功能娱乐应用程序非易失性MRAM-MR2A16A

磁阻RAM（MRAM）是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。
英尚微电子·2020-11-20 16:56

使用Everspin MRAM的精选案例研究

Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-11-20 16:52

MRAM关键工艺步骤

非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.(1)底部电极的形成(参考图1)：经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦
英尚微电子·2020-11-20 16:18

新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场

磁阻随机存取存储器（MRAM）最早于1980年代开发，并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同，MRAM将数据存储为磁性元素，而不是电荷或电流。
英尚微电子·2020-11-20 15:36

EERAM消除了SRAM电池备份

MRAM芯片用备用电池代替SRAM的雄心可能与MicrochipTechnology最新的EERAM产品形式的旧式现存存储器竞争。串行外围设备接口（SPI）EERAM。
英尚微电子·2020-10-09 12:10

解决WINCE 无法保存RTC的问题

解决WINCE无法保存RTC的问题Author:Jackwenemail:[email protected]:41551357TargetBoard:GEC2410(64MRAM64MNandflash
zaodt·2020-09-17 14:59

专用播放功能娱乐应用程序非易失性MRAM-MR2A16A

磁阻RAM（MRAM）是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。
EVERSPIN·2020-09-17 04:32

MRAM与其他内存技术相比具有相对优势

MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。
EVERSPIN·2020-09-17 04:32

高耐久低成本NRAM原理大揭秘

它比基本上全部新起存储系统（PCM，MRAM和ReRAM）都更贴近通用性存储器。他们一般用于更换闪存芯片，因而NRAM在理论上既能够更换DRAM，还可以更换闪存芯片。
EVERSPIN·2020-09-17 04:31
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