EverspinTechnologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的设计，制造领导者，其市场和应用领域的数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要

ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。