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ST-MRAM
Everspin授权代理商4Mb非易失性MRAM--MR2A16ACYS35
EverspinTechnologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋扭矩MRAM(
ST-MRAM
)的设计,制造领导者,其市场和应用领域的数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要
·
2022-03-15 17:29
存储技术
超低功耗
ST-MRAM
内存架构
ST-MRAM
有潜力成为领先的存储技术,因为它是一种存储器(可以挑战DRAM和SRAM),可扩展至10nm以下,并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。
宇芯电子
·
2020-03-27 16:16
超低功耗ST-MRAM
ST-MRAM
STT-MRAM
基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM
自旋转矩磁阻随机存取存储器(
ST-MRAM
)有望成为一种快速,高密度的非易失性存储器,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
英尚微电子
·
2020-01-07 14:55
非易失性MRAM
Everspin
STT-MRAM
非易失性MRAM
基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM
自旋转矩磁阻随机存取存储器(
ST-MRAM
)有望成为一种快速,高密度的非易失性存储器,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL
·
2020-01-06 13:00
基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM
自旋转矩磁阻随机存取存储器(
ST-MRAM
)有望成为一种快速,高密度的非易失性存储器,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL
·
2020-01-06 13:00
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