STT-MRAM

MRAM制造生产厂家Everspin

Everspin在设计制造MRAM和STT-MRAM、xSPIMRAM等方面处于翘楚，进入数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用。
EVERSPIN·2023-08-24 14:27

Everspin一级代理4Mb串口MRAM存储芯片-MR25H40CDF

Everspin科技有限公司是全球领先的设计,制造嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)的生产商，自从Everspin第一款产品进入市场，由于MRAM可以保持数据持久性和完整性
·2022-03-15 17:58

STT-MRAM的应用前景

STT-MRAM是一种颠覆性技术，可以在从消费电子和个人计算机到汽车和医疗，军事及太空等许多领域，改变产品的性能。它还有潜力在半导体工业中创造新的领域，并使尚未设想的全新产品成为可能。
英尚微电子·2020-11-20 16:43

使用Everspin MRAM的精选案例研究

Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-11-20 16:52

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
EVERSPIN·2020-09-17 04:31

Everspin MRAM解决方案的新应用程序

Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM
英尚微电子·2020-08-24 16:28

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势：1.非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强；2.芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；3.采用DDR4接口，带宽可以到
英尚微电子·2020-08-22 16:28

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势：1.非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强；2.芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；3.采用DDR4接口，带宽可以到
英尚微电子·2020-08-22 16:27

非易失性MRAM技术发展

STT-MRAM产品将扩展到更高的密度，需要更低的能量写比切换MRAM。
英尚微电子·2020-08-22 15:30

非易失性存储器MRAM应用领域

Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-22 13:15

非易失性存储器MRAM应用领域

Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-21 03:42

非易失性MRAM技术发展

STT-MRAM产品将扩展到更高的密度，需要更低的能量写比切换MRAM。
英尚微电子·2020-08-21 02:07

STT-MRAM存储器技术结构图

目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视
EVERSPIN·2020-08-20 05:11

非易失性存储器MRAM应用领域

MRAM和STT-MRAM其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-17 14:22

最大限度提高STT-MRAM IP的制造产量

尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ位单元的缺点之一是读取窗口小，即高阻状态和低阻状态之间的差异通常仅为2-3倍。
宇芯电子·2020-08-05 14:00

最大限度提高STT-MRAM IP的制造产量

尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ位单元的缺点之一是读取窗口小，即高阻状态和低阻状态之间的差异通常仅为2-3倍。
宇芯电子·2020-08-05 14:00

什么是STT-MRAM？

通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？
宇芯电子·2020-08-04 17:00

什么是STT-MRAM？

通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？
宇芯电子·2020-08-04 17:00

什么是STT-MRAM？

通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？
宇芯电子·2020-08-04 16:47

ISI的晶圆级MRAM测试仪

云存储等行业等提供了大量可靠优质的MRAM，STT-MRAM存
宇芯电子·2020-07-17 14:00

当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性

Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
宇芯电子·2020-07-13 11:00

MRAM缓存可行性比SRAM更高

为减少面积和能耗，STT-MRAM存储器已成为替代基于SRAM的最后一级高速缓存存储器的有希望的候选者。STT-MRAM器件的核心元件是磁隧道结，其中薄介电层夹在磁固定层和磁自由层之间。
宇芯电子·2020-05-22 15:17

新型存储器与传统存储器介质特性对比

目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM
宇芯电子·2020-04-24 16:21

专用于工业应用的Everspin MRAM

Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
宇芯电子·2020-04-07 15:21

嵌入式MRAM关键应用与制造商

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。
英尚微电子·2020-03-20 15:01

为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来，我们将看到嵌入式STT-MRAM(eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。
英尚微电子·2020-03-18 14:09

为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来，我们将看到嵌入式STT-MRAM(eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。
英尚微电子·2020-03-18 14:56

STT-MRAM万能存储器芯片

自旋转移矩—磁随机存储器器件（SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory：STT-MRAM）就是
NETSOL·2020-02-20 15:00

STT-MRAM万能存储器芯片

自旋转移矩—磁随机存储器器件（SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory：STT-MRAM）就是
NETSOL·2020-02-20 15:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。
NETSOL·2020-02-19 14:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。
NETSOL·2020-02-19 14:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。
英尚微电子·2020-02-19 14:39

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案，Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。
NETSOL·2020-02-09 21:00

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案，everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。
英尚微电子·2020-02-09 21:21

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
NETSOL·2020-02-04 14:00

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
NETSOL·2020-02-04 14:00

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
英尚微电子·2020-02-04 13:47

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。
NETSOL·2020-01-20 16:00

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供了性能，持久性和耐用性。
英尚微电子·2020-01-20 16:45

Everspin串口串行mram演示软件分析

在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
NETSOL·2020-01-19 15:00

到2029年MRAM收入将增长170倍

一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。
NETSOL·2020-01-16 15:00

到2029年MRAM收入将增长170倍

一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。
NETSOL·2020-01-16 15:00

到2029年MRAM收入将增长170倍

一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。
英尚微电子·2020-01-16 15:10

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
NETSOL·2020-01-15 14:00

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
NETSOL·2020-01-15 14:00

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
英尚微电子·2020-01-15 13:19

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
NETSOL·2020-01-13 11:00

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
英尚微电子·2020-01-13 11:21

everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。本文主要介绍描述了图1所示的具有28nmCM
英尚微电子·2020-01-09 14:30

everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。本文主要介绍描述了图1所示的具有28nmCM
NETSOL·2020-01-08 14:00
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