STT-MRAM

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此，everspin的基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。已经在800MHz的全64Mb上运行了标准的
英尚微电子·2020-01-07 14:55

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此，everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。已经在800MHz的全64Mb上运行了标
NETSOL·2020-01-06 13:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此，everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。已经在800MHz的全64Mb上运行了标
NETSOL·2020-01-06 13:00

STT-MRMA技术优点

写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级
NETSOL·2019-12-17 14:00

STT-MRAM技术改变现状

写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级
英尚微电子·2019-12-17 13:24

Everspin非易失性MRAM切换技术

拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
英尚微电子·2019-12-11 14:49

STT-MRAM存储器技术结构图

目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视
英尚微电子·2019-12-10 14:46

STT-MRAM：“万能存储器”

一、SRAM、DRAM，以及Flash存储器是电子系统的重要组成部分。当前，绝大多数电子系统均采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构（如图1（a）），与之相对应，静态随机存储器（SRAM）、动态随机存储器（DRAM）、闪存（Flash）或硬盘（HDD）成为实现这三种存储体系的传统存储技术。然而，随着信息和纳米加工技术高速发展，基于传统存储体系构建的电子系统正面临着巨大的挑战。一方面新兴的移动计算、云计
Taofca·2017-05-24 17:17
上一页 1 2 下一页
按字母分类： ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ其他