Latch-up初认识

在TI芯片SN74CB3T16210的Datasheet里面看到这么一句:Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD17

显示对JESD17感兴趣,想找来看下,额,没找到,然后又发现在不是很明白到底什么是latch-up... 好吧,先找找Latch-up是怎么回事。

lathch-up的一般叫法是闩锁效应,wiki的英文解释是:a term used in the realm of integrated circuits (ICs) to describe a particular type of short circuit which can occur in an improperly designed circuit(大意:在集成电路领域使用的一个名词,它描述了某些不恰当设计情况下的一种“短路”现象。)

唔, 先对它产生的原理了解下:

在CMOS晶片中,会有很多寄生的PNP、NPN的BJT, 他们可能会相互影响到,在VDD和GND间形成一个个SCR(silicon-controlled rectifier)。当ESD或者是干扰等到来时,SCR被触发,从而在VCC和GND间形成一个低阻通路,即上文提及的“短路”。这里产生的大电流,足以对晶片造成不可恢复的损伤。

 

好了,暂时不需要了解实现的问题,知道what和why就行,how到用的时候再了解。 

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