我的小车调试进度之：实现参数存储

小车调试进度五更~~

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emmm，小车主控板上没有画24C02，不能用EEPROM来存参数，但STM32的内部Flash是可访问可操作的，所以就可以把参数存到stm32内部的Flash里啦~~

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先推荐两篇博客，原理说的很清楚啦~
STM32学习笔记：读写内部Flash。
STM32操作访问flash，包括写入数据到flash和从flash读取数据

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• 明确你的MCU内部Flash的大小和地址空间
  这个可以看对应芯片的手册，上面都有详细的说明：
  
  128KB的Flash的地址分布：
  
  我用的MCU是C8T6，内部Flash是64KB，内部Flash的起始地址是0x08000000，那么对应的尾地址就是0x0800FFFF，具体计算方法：
  1KB = 2的10次方；
  64KB = 2的16次方，16个1，每4个1是一个F，所以就是FFFF
  64KB大小占4个扇区空间：
  

• 明确Flash内存储的程序所占的地址空间
  我们知道单片机内部Flash是用来存储程序和一些const常量的，在向Flash内部写数据时必须先擦除这部分的地址空间，而Flash内部规定必须以扇为单位进行擦除，存储程序的那一部分的地址空间显然是不能动的，我们在向Flash内部写入数据时需要避开存储程序的扇区，存储程序的地址空间可以在.map文件中找到（查找以“Memory Map of the image”开头的记录）：
  
  
  以我的程序为例，程序存储空间是以程序ROM加载空间来计算的：基地址是0x08000000，大小（size）是：0x00003C34，所以程序存储空间就是：0x08000000到0x08000000+0x00003C34也就是：0x08000000~0x08003c34，这个范围是位于扇区0内的，所以扇区1以后的存储空间我们都可以作为数据的存储空间。（emmm，为了保险起见也可以将数据存储的地址向后推一个扇区，我的程序中定义的存储基地址是：0X0800E000）

• 关于底层的部分我就不多说明了，可以参考STM32F1开发指南（库函数版）中实验三十九：Flash模拟EEPROM的部分，有详细的说明，这里我贴出代码：

//底层部分

#include "stmflash.h"
#include "delay.h"

#define FLASH_SAVE_ADDR  0X0800E000 	//设置FLASH保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)
//解锁STM32的FLASH
void STMFLASH_Unlock(void)
{
	FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;//写入解锁序列.
	FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
}
//flash上锁
void STMFLASH_Lock(void)
{
	FLASH->CR|=1<<7;//上锁
}
//得到FLASH状态
u8 STMFLASH_GetStatus(void)
{	
	u32 res;		
	res=FLASH->SR; 
	if(res&(1<<0))return 1;		    //忙
	else if(res&(1<<2))return 2;	//编程错误
	else if(res&(1<<4))return 3;	//写保护错误
	return 0;						//操作完成
}
//等待操作完成
//time:要延时的长短
//返回值:状态.
u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time)
{
	u8 res;
	do
	{
		res=STMFLASH_GetStatus();
		if(res!=1)break;//非忙,无需等待了,直接退出.
		delay_us(1);
		time--;
	 }while(time);
	 if(time==0)res=0xff;//TIMEOUT
	 return res;
}
//擦除页
//paddr:页地址
//返回值:执行情况
u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr)
{
	u8 res=0;
	res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待上次操作结束,>20ms    
	if(res==0)
	{ 
		FLASH->CR|=1<<1;//页擦除
		FLASH->AR=paddr;//设置页地址 
		FLASH->CR|=1<<6;//开始擦除		  
		res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待操作结束,>20ms  
		if(res!=1)//非忙
		{
			FLASH->CR&=~(1<<1);//清除页擦除标志.
		}
	}
	return res;
}
//在FLASH指定地址写入半字
//faddr:指定地址(此地址必须为2的倍数!!)
//dat:要写入的数据
//返回值:写入的情况
u8 STMFLASH_WriteHalfWord(u32 faddr, u16 dat)
{
	u8 res;	   	    
	res=STMFLASH_WaitDone(0XFF);	 
	if(res==0)//OK
	{
		FLASH->CR|=1<<0;//编程使能
		*(vu16*)faddr=dat;//写入数据
		res=STMFLASH_WaitDone(0XFF);//等待操作完成
		if(res!=1)//操作成功
		{
			FLASH->CR&=~(1<<0);//清除PG位.
		}
	} 
	return res;
} 
//读取指定地址的半字(16位数据) 
//faddr:读地址 
//返回值:对应数据.
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}
#if STM32_FLASH_WREN	//如果使能了写   
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数   
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{ 			 		 
	u16 i;
	for(i=0;i=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
	STMFLASH_Unlock();						//解锁
	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   
	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
		for(i=0;i(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
		}	 
	};	
	STMFLASH_Lock();//上锁
}
#endif
//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)   	
{
	u16 i;
	for(i=0;i

//读写PWM值

///////////////////////////////////////////////
//读写PWM值

extern u8 Flash_PWM[2];
extern u8 PWM[2];
extern u8 PWML;
extern u8 PWMR;

void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)   	
{
	STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字 
}
 
void Flash_Read(void)
{
	STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)PWM,2);
	PWML = PWM[0];
    PWMR = PWM[1];
}	

void Flash_Write(void)
{
	Flash_PWM[0]=PWML;		
	Flash_PWM[1]=PWMR;	
	STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)Flash_PWM,2);	
}	

一点说明： Flash_Read();读取函数只在主函数开头调用，Flash_Write();写入函数在PWM值改变时写入，也就是按键按下时写入。