三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

　　作者：万南

　　10 月 7 日，三星电子宣布率先在业内开发出 12 层 3D-TSV（硅穿孔）技术。

　　随着集成电路规模的扩大，如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战，其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称，他们得以将 12 片 DRAM 芯片通过 60000 个 TSV 孔连接，每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

　　总的封装厚度为 720μm，与当前 8 层堆叠的 HBM2 存储芯片相同，体现了极大的技术进步。

　　这意味着，客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时，3D 堆叠也有助于缩短数据传输的时间。

　　三星透露，基于 12 层 3D TSV 技术的 HBM 存储芯片将很快量产，单片容量从目前的 8GB 来到 24GB。