台积电7nm+大量供货：近40年终于实现EUV光刻

　　作者：上方文Q

　　台积电今天宣布，N7+ 7nm+ 工艺已经大批量供应给客户，这是该公司乃至全产业首个商用 EUV 极紫外光刻技术的工艺。

　　EUV 光刻采用波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到 13.5nm，研发，推动更先进工艺。

　　EUV 光刻技术早在 20 世纪 80 年代就已经研发出来，最初计划用于 70nm 工艺，但光刻机指标一直达不到需求，加之成本居高不下，芯片厂商不得不引入沉浸式光刻、双重乃至多重曝光来开发新工艺。

　　按照台积电的说法，他们的 EUV 光刻机已经可以在日常生产中稳定输出超过 250W 的功率，完全可以满足现在以及未来新工艺的需求。

　　三星 7nm 工艺也在引入 EUV，不过进展相比台积电要落后很多。

　　台积电表示，7nm+ 的量产速度也是公司史上最快的之一，今年第二季度就已量产，并且在良品率上迅速达到了已经量产 1 年多的 7nm 工艺的水平。

　　7nm+ 相比于 7nm 在性能上可带来 15-20％ 的晶体管密度提升，同时改进了功耗。

　　台积电 7nm+ 工艺已经应用于多家客户的产品，但官方没有给出具体名单，目前唯一可完全确认的就是华为麒麟 990 5G，AMD 下一代 Zen 3 架构也一直标注为 7nm+ 工艺。

　　接下来，台积电将继续奔向 6nm、5nm、3nm、2nm，其中6nm (N6) 相当于 7nm 的升级版，设计规则完全兼容，继续采用 EUV 技术，晶体管密度可比 7nm 提升 18％，预计明年第一季度试产，明年底量产。