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（续上小节）
4. 集电极反馈偏置
前面的“分压偏置”电路虽然性能非常稳定，比较完美地解决了β参数偏移的问题，但也有缺点，其缺点就是功耗太大。 就拿前面的案例3-6-2来说，为了维持基极的分压稳定点，分压偏置的两个电阻要消耗的电流约为：15V / 22kΩ≈0.68mA。
也就是说，仅仅为了维持这个分压点，就要消耗一个毫安级的功耗，这是非常不划算的，因此人们又设计出了集电极反馈偏置（collector feedback configuration）电路，这个电路的静态功耗比分压偏置小，但是稳定性会有一点点受β参数影响，也就是说，性能介于“分压偏置”和“改进的固定偏置”之间，算是一个折中方案吧。电路图如下所示：
图3-6.12
（1） 静态工作点分析
到目前为止，我们对如何计算静态工作点应该已经很熟悉了。在这个电路中，输入和输出静态工作点可以很容易地列出计算式，如下图所示：
图3-6.13
根据上图中的电流关系，我们可以列些出总的KVL方程：
然后就是取近似的魅惑时刻：
• ICB = IC+IB ≈ IC = βIB
• IE ≈ IC = βIB
将ICB和IE代入上式，可得：
解得输入静态电流IB为：
若BJT晶体管工作于放大区，可得输出静态工作电流为IC为：
输出静态工作电压VCE为：
（2） 参数β对静态工作点的影响
下面我们来看一看参数β对静态工作点IC的影响有多大，前面我们已算得，静态工作点IC的表达式为：
为更易于观察，我们设：VX=VCC-0.7V，RX=RC+RE，于是上式可简写成：
当βRX远大于RB时，上式可近似为：
可见，当βRX远大于RB时，静态输出电流IC可近似视为不受β参数影响。
案例3-6-3：在下图中，计算当β=100和β=150时的IB, IC, VCE，并进行比较。
图3-6.a3
解：（1）当β=100时：
假设BJT工作于放大区：
验证：VCE > VCEsat，说明BJT工作于放大区的假设正确。
（2）当β=150时：
假设BJT工作于放大区：
验证：VCE > VCEsat，说明BJT工作于放大区的假设正确。
（3）比较：
条件2比条件1中的β增加了50%，但是IC仅增加了8.9%，稳定效果较好；VCE下降了21.8%，基本上还能接受。说明集电极反馈偏置对于参数β的变化有较好的稳定作用。
（3） 饱和条件
当VCE < VCEsat时，晶体管进入饱和区。这里，近似IC≈IE，因此，我们可以算出此时的集电极饱和电流ICsat，
当IC>ICsat时，晶体管进入饱和。
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（ end of 3-6-3）