现代SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号
一、DDR SDRAM:
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:
HY XX X XX XX X X X   X    X    X    XXX   X
1   2   3 4   5   6 7 8   9   10   11 12 — 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下:
1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)
3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V; W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K 刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)
10. 封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11. 封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12. 封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14. 工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))
由上面14条注解,我们不难发现,其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少。
二、DDR2 SDRAM:
DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用,并将很快成为主机内存设备的产品,现在在市场中还并不多见,但对于下半年,以至于未来几年内存市场的主打型号,消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况,由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来,所以,只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解,那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。
HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号:
HY XX X XX XX X X X   X    X    X    XXX   X
1   2   3 4   5   6 7 8   9   10   11 12 — 13 14
现代DDR2 SDRAM的颗粒编号,实际上要比DDR SDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略,而其他位编号的定义基本保持不变,只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性,增加了一些新的含义。
颗粒编号解释如下:(这里只对存在区别的部分加以说明)
2.内存芯片类型:(5P=DDR2 SDRAM)
3.处理工艺及供电:(仅有S一种,对应参数为:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4.芯片容量密度和刷新速度:(保留28、56、 12、1G四种编号;新增2G:2G 8K刷新)
7.接口类型:(保留2=SSTL_2;而SSTL_18则变为1表示)
10.封装类型:(F=FBGA;S=FBGA Stack封装;M=FBGA DDP(Dual Die Package))
12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13.速度:(S7=DDR2-800 7-7-7;S6=DDR2-800 6-6-6;Y6=DDR2-667 6-6-6;Y5=DDR2-667 5-5-5;C5=DDR2-533 5-5-5;C4=DDR2-533 4-4-4;C3=DDR2-533 3-3-3;E4=DDR2-400 4-4-4;E3=DDR2-400 3-3-3)算下来,有变化的部分,大概有7位,基本上都是因为技术更新,而简略了旧的规格代码,加入了新的代码定义。其中,最值得大家注意的,还是第13位的数字。现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号,进行了全新的改革。将会以S、Y、C、E这四个英文字母,分别代表DDR2的四种工作频率,依次是:800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。而7、6、5、4、3这五个数字,显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3。
三、SDRAM:
现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品,因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“-”后面的一位或两位数字,就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定,分如下几种:
5   200MHz
55 183MHz
6 166MHz
7   143MHz
K   PC133,CL=2
H   PC133,CL=3
8   125MHz
P PC100,CL=2
S PC100,CL=3
10 100MHz
一般在市场中,我们最常见到编号尾数为“H”的产品,即PC133且CL=3的产品。