贴片三极管振荡电路的基本原理

　　振荡电路，是指用电感L、电容C组成选频网络的振荡电路，用于产生高频正弦波信号，常见的LC正弦波振荡电路有变压器反馈式LC振荡电路、电感三点式LC振荡电路和电容三点式LC振荡电路。LC振荡电路的辐射功率是和振荡频率的四次方成正比的，要让LC振荡电路向外辐射足够强的电磁波，必须提高振荡频率，并且使电路具有开放的形式。振荡电路是将电源的直流电能，转变成一定频率的交流信号的电路，作用是产生交流电振荡，作为信号源。贴片三级管振荡电路是常见的一种振荡电路。

　　贴片三极管振荡电路的基本原理

　　由上图可见，这个电路是由两个非门（反相器）用电容C1，C2构成的正反馈闭合环路。三级管Q1的集电极输出接在Q2的基集输入，Q2的集电极输出又接在Q1的基极输入。电路接通电源后，通过基极电阻R2，R3同时向两个三极管Q1，Q2提供基极偏置电流。使两个三极管进入放大状态。虽然两个三级管型号一样对称。但电路参数总会存在微小的差异，也包括两个三极管本身，也就是说T1，T2的导通程度不可能完全相同，假设Q1导通快些，则D点的电压就会降的快些。这个微小的差异将被Q2放大并反馈到Q1的基极，再经过Q1的放大，形成连锁反应，迅速使Q1饱和，Q2截止，D点变成低电平“0”，C点变成高电平“1”。

　　Q1饱和后相当于一个接通的开关，电容C1通过他放电。C2通过它充电。随着C1的放电，由于有正电源VCC的作用，Q2的基极电压逐渐升高，当A点电压达到0.7V后，Q2开始导通进入放大区，电路中又会立刻出现连锁反应，是Q2迅速饱和，Q1截止，C点电位变电平“0”。D点电位变高电平“1”。这个时候电容C2放电，C1充电。这一充放电过程又会使Q1重新饱和，Q2截止。如此周而复始，形成振荡。

　　由上可以知道通过改变C1，C2的电容大小，可以改变电容的充放电的时间，从而改变振荡频率。

　　只读存储器M95512-WMN6TP

　　产品种类: 电可擦除可编程只读存储器

　　RoHS:  详细信息

　　安装风格: SMD/SMT

　　封装 / 箱体: SOIC-8

　　存储容量: 512 kbit

　　组织: 64 k x 8

　　接口类型: Serial, 4-Wire, SDI, SPI

　　访问时间: 60 ns

　　数据保留: 40 Year

　　最大时钟频率: 5 MHz

　　电源电流—最大值: 2 mA

　　电源电压-最小: 2.5 V

　　电源电压-最大: 5.5 V

　　最小工作温度: - 40 C

　　最大工作温度: + 85 C

　　系列: M95512-W

　　封装: Cut Tape

　　封装: MouseReel

　　封装: Reel

　　高度: 1.65 mm (Max)

　　长度: 5 mm (Max)

　　宽度: 4 mm (Max)

　　商标: STMicroelectronics

　　CNHTS: 8542319000

　　HTS Code: 8542320051

　　MXHTS: 85423299

　　工作电源电流: 6 mA

　　工作电源电压: 3.3 V, 5 V

　　产品类型: EEPROM

　　编程电压: 2.5 V to 5.5 V

　　工厂包装数量: 2500

　　子类别: Memory & Data Storage

　　TARIC: 8542327500

　　单位重量: 540 mg

　　存储器类型：非易失

　　技术：EEPROM

　　存储容量：512Kb （64K x 8）

　　时钟频率：16MHz

　　写周期时间-字，页：5ms

　　存储器接口：SPI

　　电压-电源：2.5 V ~ 5.5 V

　　工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

　　安装类型：表面贴装

　　封装/外壳：8-SO

　　速度：10MHz

　　接口：SPI 串行