来自台湾经济日报的消息,金士顿董事长陈建华在出席群联公司竹南三厂上梁典礼时,针对DRAM市场作出了最新分析。他强调目前主要的DRAM大厂都没有增产计划,而且产能转向3D NAND闪存,导致DRAM内存短缺。
除了DRAM供需失衡之外,PCB印刷材料也缺货了,导致内存模组供应受到牵连,DRAM供货问题更加严重。
DRAMeXchange最新研究显示，2016年第四季NAND Flash缺货达全年高峰，在终端需求出货畅旺、平均销售价格普遍上涨的情况下，即使前一季营收基期已高，第四季NAND Flash营收仍旧上涨17.8%，六大存储厂商的获利能力也达到全年的顶峰。
这一波涨价的主要推手是三星,目前三星70%的产能已经被苹果、三星自己以及大陆的OPPO、Vivo公司包下,能供应给其他公司的产能有限,三星还把产能转向3D NAND闪存。其他DRAM公司虽然也跟进升级,但制程良率都没有三星顺利,使得三星有能力主导价格提升,弥补Note 7爆炸导致的巨额损失。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,由于DRAM供给端的寡占型态已经成熟,且制程在转进20纳米后,位元成长有限,观察三大厂商短期内没有新增产能的计画,新制程转进进度也有放缓的趋势,预估供货将持续吃紧。
以需求端而言,2017年不论是个人电脑、伺服器或智慧型手机端,需求位元成长主要还是来自单机搭载存储容量需求的提升。以智慧型手机为例,由于LPDDR4正式成为市场供货主流,中高阶智慧型手机的行动式存储搭载逐渐以4GB为「标准配备」,甚至8GB机种也有望问世,将持续带动需求攀升。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，观察2017年第一季，供给方面因转进3D-NAND Flash制程造成供货减少，使得各项合约价格持续上扬，但在终端需求方面较2016年第四季减少，预期NAND Flash品牌厂营收仍将持续成长，增幅稍微趋缓，而以全年度NAND Flash供应预期都将吃紧的情况来看，2017年NAND Flash厂商的营收仍可望逐季增加。
全年整体DRAM市场供货吃紧
台湾南亚科总经理李培瑛表示，今年整体DRAM市场供货吃紧，上半年平均销售单价持续走扬，预期第一季平均销售单价季增10~15%，公司的毛利率相较上季可望有显著的提升，第二季价格也将续扬，下半年仍看审慎乐观，预期价格波动不大。
南亚科指出，今年DRAM在供给方面，前三大厂皆以提高新制程比例增加产出为主，并未大幅扩张新产能。 预期2017年供给年成长约20%。 在需求方面，预期2017年DRAM需求成长稳定，成长主力来自手机及服务器的搭载量增加，预估整体年增率高于22%。
因此，今年DRAM市场将呈现供给吃紧，各类DRAM库存也皆处于低水位。
从平均销售单价走势(ASP)来看，南亚科预期，第一季价格走扬，预估涨幅10%~15%，与去年第四季涨幅相当；今年第二季价格可望持续上扬，涨幅可能比第一季稍缓；下半年目前维持审慎乐观。 若以目前三大供货商对今年的资本支出来看，南亚科预期第三季价格起伏不大，有机会续涨，第四季即使有季节性因素，波动也不大。
至于今年需求端的正面因素包括，中高端智能手机以高分辨率为主流，加上双镜头功能，增加主存储器容量至4~6GB，旗舰机上看8GB，持续推动DRAM需求成长。 在服务器市场方面，需求持续强劲。 高阶笔电新机标配从8GB起跳、2-in-1超薄笔记本及电竞机型需求逆势成长。 此外，4K TV渗透率已逾3成。 机顶盒及相关网络产品、网络相机(IP CAM)、智能手表、车用及工业用相关需求热络，皆有利推升DRAM搭载量。
三星电子
受惠于高容量eMMC与UFS需求和固态硬盘表现强劲，去年第四季三星NAND Flash除了位元出货量季成长11～15%外，平均销售单价也成长逾5%，NAND Flash营收季成长近20%。
三星在高容量eMMC/UFS及固态硬盘上市场份额领先，因此受惠价格上涨的程度更为显著，而48层堆栈的3D-NAND Flash已顺利导入全系列固态硬盘产品线。
三星Line16厂持续转进3D-NAND Flash，Line17与平泽厂的新产能贡献将从第二季后将开始提升，因此预估2017第一季位元出货量将季衰退4～9%，位元成长须待至第二季后才会显著提高。
SK海力士
SK 海力士降低固态硬盘端供货比重以应对中国大陆品牌智能手机eMCP需求，去年第四季位元出货量微幅下滑3%，但平均销售单价则扬升14%，营收季成长9%至11.56亿美元。
2017年第一季SK 海力士面临转进3D-NAND Flash及第一季智能手机出货减少等因素，预估位元出货量将季衰退约0～5%，但在NAND Flash依旧吃紧的态势下，平均销售单价仍可望续扬。
在3D-NAND Flash的进度上，第一季SK 海力士3D-NAND Flash位出货占比为10%，预期在48层堆栈与下半年将推出的72层堆栈3D-NAND Flash带动下，年底前3D-NAND Flash的产出比重将超越50%。
东芝电子
东芝电子64层堆栈的3D-NAND Flash产品相关对应的产品下半年将放量生产，现阶段在良率尚未显著提升之际，48层堆栈的3D-NAND Flash成为上半年营运的重点，而目前东芝3D-NAND Flash的产出比重较低，但年底维持超过产出的50%计划不变。
西数
在位元出货量与平均销售单价均上涨的情况下，西数2017会计年度第二季的NAND Flash营收大幅季成长约20%。全系列固态硬盘产品线表现强劲，显现在合并闪迪的综效已开始显现。
从产品面看，西数的64层堆栈3D-NAND Flash已经在自家Retail产品开始出货，OEM产品的认证过程也会在本季开始进行，预计整体3D-NAND Flash的产出比重在2017年底前将超过50%。
美光
受惠于整体NAND Flash市况供货吃紧与需求强劲，美光2017会计年度第一季位元出货量大幅季成长26%，NAND Flash营收也大幅季成长27%，至12.72亿美元。在营收的产品分配上，因移动终端与车用电子需求增加， 零部件颗粒销售比重降至40%，移动终端需求上升至23%，固态硬盘也微幅增加至15%，车用与其他工控类则是上升至20%。
产品规划方面，美光3D-NAND Flash的产出比重已超越50%，是除三星外唯一产出比重超过50%的厂商，同时，美光下个世代的64层堆栈3D-NAND Flash也预计在今年下半量产，原有的2D-NAND Flash产品占比将下滑至10%左右，仅满足原有利基型的应用。
英特尔
受惠于企业级固态硬盘的强劲需求，让英特尔2016年第四季位元出货量季成长25%以上，整体NAND Flash营收也季成长25%，至8.16亿美元。产品规划方面，英特尔20纳米与25纳米旧制程的产品减少，16纳米与3D-NAND Flash（MLC架构）的企业级固态硬盘销售比重则逐步放大，有助让价格更具竞争力，也有助成本下降与利润增加，另外，3D-NAND Flash （TLC架构）的产品也开始放量生产。