DDR4调试笔记1

这几天帮忙调试DDR4 IP核，之前没有接触过存储这块，第一次弄，所以写个东西自己做下总结。

DDR4现在已经开始大范围使用，网上面相关的信息还是比较少。

1、重要的一些概念：

如果之前没有接触过DDR3或者DDR2的话，直接上手会有点麻烦（话说我就是这样），先介绍一些基本概念和接口。

1）bank：bank是存储库，一块内存内部划分出了多个存储库，访问的时候指定存储库编号，就可以访问指定的存储库。具体内存中划分了多少个bank，要看地址线中有几位BA地址，如果有两位，说明有4个bank，如果有3位，说明有8个bank.。DDR4每个Bank Group里面就是有4个Bank。而且DDR4一般是有4个Bank Group，这样总共有16个Bank。

2）row和column：假如表示行的有A0~A14，那么单个bank中行的总量为2^15。列类似，如果表示列的有A0~A9，单个bank中列总量为2^10.

3）行激活”（Row Active）：实际工作中，Bank地址与相应的行地址是同时发出的，在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的操作命令（是读还是写），这两个命令也是同时发出的，所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲），我们可以理解为行选通周期。tRCD是DDR的一个重要时序参数，广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=3，就代表延迟周期为两个时钟周期。

4）CL（CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期）：相关的列地址被选中之后，将会触发数据传输，但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的I/O接口之间还需要一定的时间（数据触发本身就有延迟，而且还需要进行信号放大），CL的数值与tRCD一样，以时钟周期数表示。

5）tAC（Access Time from CLK，时钟触发后的访问时间）：从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始，数据即已传向S-AMP，也就是说此时数据已经被触发，经过一定的驱动时间最终传向数据I/O总线进行输出。

6）突发（Burst）：指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输的周期数就是突发长度（Burst Lengths，简称BL）。在进行突发传输时，只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。

7）tRP（Row Precharge command Period，行预充电有效周期）：当前寻址的存储单元是B1、R2、C6。如果接下来的寻址命令是B1、R2、C4，则不用预充电，因为读出放大器正在为这一行服务。但如果地址命令是B1、R4、C4，由于是同一Bank的不同行，那么就必须要先把R2关闭，才能对R4寻址。从开始关闭现有的工作行，到可以打开新的工作行之间的间隔就是tRP，单位也是时钟周期数。

8）数据选取脉冲（DQS）：主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。是数据的同步信号。

在写入时，以DQS的高/低电平期中部为数据周期分割点，而不是上/下沿，但数据的接收触发仍为DQS的上/下沿

2、应用接口：IP核对外的接口

主要是看用户FPGA和UI 接口之间的信号，基本和DDR3差不多。

今天就写这么多。