NAND Flash涨价因三星和东芝意外？ Sony的PS5改用SSD才是关键
刚进入 2020 年，三星元旦跳电事件、铠侠（原东芝）火灾两大意外，助长 NAND Flash 涨价火苗，通路商已磨刀霍霍，不断释出停止报价、货源不足、越晚买越贵等消息，准备大力拉抬 NAND Flash 价格。
其实，三星和东芝的意外事件只是加助 NAND Flash 涨价气氛更为紧张，真正让 2020 年 NAND Flash 产业供给吃紧的秘密，其实是 Sony 和微软两大游戏机巨头。
一、Sony 和微软游戏机首度改用 SSD
2020 年即将问世的两大新款游戏机 Sony 的 PS5 和微软的 Xbox Series X，首度将内部存储系统从传统硬盘改为 NAND Flash 芯片做成的 SSD 系统，且存储容量是从 1TB 起跳，一下子吃掉全球太多 NAND Flash 芯片，导致供给端严重不足，全年 NAND Flash 价格看涨。
Sony 游戏子公司 Sony Interactive Entertainment (SIE)已对外宣布，PS4 游戏机次世代机种是PlayStation 5(PS5)，预计在 2020 年下半开卖，这也是 Sony 睽违 7 年后推出的新款游戏机。根据统计，PS4 游戏机问世以来，全球累计销售量突破 1 亿台。
Sony 的 PS5 游戏机最大特点，是支援 8K 画质，且内部用来存储游戏数据的系统，将从原本 PS4 的传统硬盘 HDD 改为 SSD。
再者，微软新一代的游戏主机 Xbox Series X 卖点也同样是支援 8K 游戏，并采用新一代的 SSD 存储系统，同样是 2020 年下半年问世。
Sony 和微软两大游戏厂为了新机种的铺货，已经悄悄向三星、SK 海力士、铠侠等存储大厂预定不少 NAND Flash 产能，确保首批游戏机铺货顺利。
游戏机首度改采 NAND Flash 芯片，是一项完全从 “零” 开始的杀手级应用，对全球存储产业供给会带来多少影响？
二、一台游戏机抵两台笔记本
自从 NAND Flash 芯片价格下跌以来，让 SSD 的每 GB 单位成本大幅下滑，顺势刺激以 SSD 取代传统硬盘的趋势，2019 年笔记本的 SSD 搭载率已经逼近 70%。
若每台笔记本搭载 512GB 的 SSD 存储容量，而每台游戏机是搭载 1TB 存储容量，等于是每出货一台游戏主机，就消耗掉两台笔记本的 NAND Flash 容量。
进一步推算，只要出货 2000 万台的游戏机，等于消耗 4000 万台的笔记本所需要的 NAND Flash 容量，而这种从 “零” 冒出来的需求，确实是 2020 年 NAND Flash 产业的新杀手。
游戏机全面拥抱 SSD，对于存储产业而言是全新变革。
然而，SSD 取代传统硬盘的趋势，已经从工业系统、数据中心、计算机、笔记本等就开始蔓延，随着 NAND Flash 芯片成本和价格下滑，也加速这种取代效益，传统硬盘早已无法抵挡 NAND Flash 产业的大军来袭。
三、三星、东芝接力“演出”
2020 年至今也不过一周多，NAND Flash 产业供给端也发生了两起意外事故，对于 NAND Flash 价格上涨有推波助澜效果。
元旦当天，韩国三星旗下位于华城园区的 NAND Flash 工厂出现跳电意外，虽然只有跳电 3 分钟，对于实质供给端并未造成影响，但已经让整个市场的买方陷入焦虑，开始提前备货，怕之后价格越买越贵。
三星这场 “3 分钟意外”，其实对于供给面没有实际的影响，但是大幅刺激了心理层面，促使许多客户赶快备货买单，让原本是传统淡季的首季 NAND Flash 合约价从“持平” 转为“小涨”。
不仅如此，日本存储大厂铠侠 Kioxia 在 7 日也意外出现火警。
铠侠对客户发出通知，指出 2020 年 1 月 7 日上午 6 点 10 分，位于日本三重县四日市的 Fab 6 晶圆厂中的机台设备发生火警，这起意外并没有造成任何人员伤亡，至于生产机台损害的情况还在评估。
这座 Fab 6 厂是由铠侠与西部数据合资，在 2018 年 9 月才正式开始营运，生产主流的 64 层和 96 层 3D NAND 芯片。
有业者开玩笑表示，这不是改名为铠侠的东芝半导体首度发生意外事故，但算是第一次这么主动发信通知客户，告知有这样的意外发生。
虽然铠侠强调影响不大，但似乎有点隐喻着，公司也有意主动告知客户此讯息，让客户紧张，以加速“结帐买单”，营造更大的 NAND Flash 涨价空间。
推测是这一波的 NAND Flash 价格上涨以来，NAND Flash 报价才刚刚到铠侠和西部数据（两家公司合资盖厂）的生产成本，意思是，两家公司才刚要赚钱，如果可以创造市场更为供给吃紧的气氛，就可再推升价格。
全球 NAND Flash 价格在 2019 年下半开始止跌上扬，除了是各大存储厂放缓新厂的扩产速度、减产之外，铠侠（当时还叫做东芝）在 2019 年日本三重县四日市因为停电导致大规模的产线停工，也是 “小帮手” 之一。
东芝是在 2019 年 10 月 1 日起，正式改名为铠侠(Kioxia)，而跳电事件是发生在 2019 年 6 月 15 日。
当时，业界原本以为是个小意外事件，最后却演变成大规模停工一个月，以针对厂内的机台设备作检测，更加造成供货紧张，刺激 NAND Flash 价格止跌上涨。
相较于三星、SK 海力士的存储晶圆有分散生产基地，同时也在中国建立生产据点，像是三星西安厂生产 3D NAND 芯片、SK 海力士无锡厂生产 DRAM 芯片，而铠侠与西部数据的合资晶圆厂多数集中在三重四日市。
唯一例外的是，铠侠与西部数据在 2018 年时首度到日本东北地区的岩手县建立了一座 3D NAND 生产线 K1 厂，计划生产 96 层的 3D NAND Flash 芯片，瞄准数据中心、智能手机等应用。
这座 K1 厂是计画在 2020 年第二季进入量产，但传出铠侠内部的资金很紧，加上 NAND Flash 价格才刚刚复苏到成本线以上，因此内部对于产能的规划是非常小心，甚至偏向保守。
事实上，日本是个地震频繁的地区，过去的东本 311 大地震，不但造成东芝大停工，更让全球零组件供应一度断线，因此，分散生产线已经是很多半导体厂采取的分散风险策略之一。
业界分析，接下来的 NAND Flash 产业大战不容忽视，首先产业好不容易复苏，各厂正要开始获利，再者是技术之战，2020 年下半要进入 128 层 3D NAND 芯片量产期，各厂要把资金银弹、技术制程都准备到位。
四、长江存储入局牵动全球神经
最关键的是，长江存储今年已开始量产 64 层 3D NAND 芯片，传出年底 128 层 3D NAND 要问世，与国际大厂的技术水平再一次拉近，而这对全球战局也是很重要的挑战。
长江存储入局 3D NAND 芯片，从 32 层技术切入，之后是 64 层技术，一步步宣告 3D NAND 的自主研发成功。
公司内部定调，32 层技术是试水温，要到 64 层准备好，才会真正大量投产，但其实长江存储的 32 层 3D NAND 已经用在很多嵌入式存储 eMMC 系统上，显见即使是试水温的技术，实力也非常扎实。
长江存储的入局，不至于会引爆价格战，因为初期会以国产替代为主，但所有外商已经非常紧张，因为，这是中国第一次可以掌握如此关键技术的存储芯片，在芯片自主研发的路途上，3D NAND 打了非常漂亮的一仗。
国内投入 3D NAND 技术的开发，除了朝芯片国产替代之路前进，本身 NAND Flash 芯片的应用领域非常广，是一个成长型产业。
最早是相机使用的 SD 卡、U 盘等，之后扩展到智能手机内部，一直到数据中心大量使用 SSD 取代传统硬盘，算是 NAND Flash 产业的一大高峰。
进入 2020 年，迎来 5G 时代，加上 AI、数据中心需求回升等，未来对于 NAND Flash 芯片的需求非常值得期待。