S32K144从入门到跑路——芯片性能与主要功能模块与存储空间的地址分配（持续更新）

重要表格

命名规则如下：
如需批量购买可以私信本人。

32-PIN QFN 98ASA01350D
S32K K1系列，只要引脚和封装是对应的就是兼容的。以上文件涵盖S32K K1封装

芯片性能

符合AEC-Q100规范
湿度灵敏度等级(MSL)：一般是3
最高封装体温（PPT）（260℃无铅焊接）
峰值温度下的最大时间（40s无铅焊接）
部分芯片不支持ISO 26262（如有需求需看清楚）

48引脚LQFP、64引脚LQFP、100引脚LQFP、100引脚MAPBGA
基于32位Arm® Cortex®-M4F内核的MCU
电压范围: 2.7 V to 5.5 V
（当从内部FIRC执行时，S32K148将从2.7V开始工作。当锁相环启动时，S32K148保证从2.97V开始工作。所有其他S32K系列设备在所有模式下从2.7V开始工作。）
周围温度范围: 高速运行模式为-40 °C to 105 °C,运行模式为-40 °C to 125 °C
支持多达112MHz的频率（HSRUN模式），每MHz有1.25Dhryston MIPS
基于Armv7架构和Thumb-2ISA的ARM核心
集成数字信号处理器
可配置嵌套矢量中断控制器
单精度浮点单元

4-40MHz快速外部振荡器（SOSC），在外部时钟模式下具有高达50MHz的直流外部平方输入时钟
48MHz快速内部RC振荡器（FIRC）
8MHz慢速内部RC振荡器 (SIRC)
128千赫低功率振荡器 (LPO)
高达112MHz（HSRUN）系统分相锁环（SPLL）
最多20MHz TCLK 和 25MHz SWD_CLK
32k Hz实时计数器外部时钟(RTC_CLKIN)

具有多种电源模式的电源管理控制器（PMC）：HSRUN、RUN、STOP、VLPR和VLPS。模式之间的切换耗时都是us级的由于此用例不允许同时执行，CSEC（安全性）或EEPROM写入/擦除将在HS RUN模式（112MHz）中触发错误标志。设备将需要切换到RUN模式（80MHz ）执行CSEC（安全性）或EEPROM写入/擦除。

具有ECC的512 KB程序闪存
用于ECC和EEPROM仿真的数据闪存的64KB FlexNVM。注意：CSEC（安全性）或EEPROM写入/擦除将触发HSRUN模式下的错误标志（112MHz）因为此用例不允许同时执行。该设备将需要切换到RUN模式（80 MHz）以执行CSEc（安全性）或EEPROM写/擦除操作。
64 KB SRAM与ECC
用于SRAM或EEPROM仿真的FlexRAM高达4KB
最多4KB代码缓存，以尽量减少内存访问延迟对性能的影响

主要模块

两个12位模拟到数字转换器（ADC），每个模块最多16个通道模拟输入
一个模拟比较器（CMP）与内部8位数字到模拟转换器（DAC）
最多156个具有中断功能的GPIO引脚
三个低功耗通用异步接收/传输（LP UART/LIN）模块，具有DMA支持和低功耗可用性
三个低功耗串行外围接口（LP SP I）模块，具有DMA支持和低功耗可用性
一个低功耗集成电路（LP I2C）模块，具有DMA支持和低功耗可用性
三个FlexCAN模块（一路CAN-FD支持）
用于通信协议和外围设备（UART、I2C、SPI、I2S、LIN、PWM等）仿真的FlexIO模块。（8个引脚可配置为UART、SPI、I2C、I2S）
仿真和调试: SWD, JTAG (ITM, SWV, SWO)
==密码服务引擎（CSEC）==实现了一组完整的密码功能，如SHE（安全硬件扩展）功能规范中所描述的。注：由于不允许同时执行此用例，CSEC（安全性）或EEPROM写入/擦除将在HSRUN模式（112MHz）中触发错误标志。设备将需要切换到RUN模式（80MHz）执行CSEC（安全性）或EEPROM写入/擦除。
128位唯一标识（ID）号码
闪存和SRAM存储器的纠错码（ECC）
系统内存保护单元（System MPU）
循环冗余检查模块
内部看门狗（WDOG）
外部看门狗监视器（EWM）模块
4个独立的16位FlexTimer（FTM）模块，提供多达32个标准通道（IC/OC/PWM）
一个16位低功率定时器(LPTMR)，可灵活唤醒控制
具有灵活触发系统的两个可编程延迟块（PDB）
一个32位低功耗中断定时器（LPIT），有4个通道
32位实时计数器 (RTC)
16通道DMA，最多63个请求源使用DMAMUX

极限参数

在5.5V和5.8V之间的电源不处于复位状态的操作允许在寿命期间累积60秒，该部件将以减少的功能运行。在5.5V至5.8V之间供电但由外部电路保持复位状态的操作允许在使用寿命内累积10小时 。如果超过给定的时间限制或供应水平，设备可能会损坏。

注意事项

所有去耦电容器必须是低ESR陶瓷电容器（例如X7R型）。为了提高性能，建议使用10μF、0.1μF和1nF电容器并联，所有去耦电容器应尽可能靠近相应的电源和接地引脚。
必须将开路漏极输出拉到VDD。
CSEC（安全性）或EEPROM写入/擦除将在HSRUN模式（112MHz）中触发错误标志。设备将需要切换到RUN模式（80MHz）执行CSEC（安全性）或EEPROM写入/擦除。
只有在频率超过80MHz时，才应使用HSRUN。当使用80MHz及以下时，运行模式是推荐的操作模式。
ADC的最低有效单元 ： 1 LSB = (VREFH - VREFL)/2N
Baud rate = Baud clock / ((OSR+1) * SBR)
当从HSRUN模式过渡到RUN模式时，LPSPI输出时钟不应大于14MHz。

近期部分可能关注的更新信息

09 May 2019：
Added 48-pin LQFP for S32K142 and S32K144
Added 100-pin LQFP for S32K148, along with footnote
18 Sep 2018：
In attachment ‘S32K1xx_Power_Modes _Configuration’:
Added separate sheet for S32K14x and S32K11x devices
Renamed VLPS (Peripherals Enabled) to VLPS (LPTMR enabled)