【S3C2440】第16课、Nandflash之学习笔记

说明：以下所有结论均经过在JZ2440（S3C2440A芯片）开发板验证，并一致通过。

**1、Nandflash是如何被控制工作的？**它是由2440的Nandflash控制器控制的；
它的内部寄存器组合是如何协调工作的？
答：根据Nandflash具体操作（读内存/编程内存/擦除）的时序图，辅助以指令集。
2.当开发板从Norflash启动时，可以读取Nandflash？反之？
答：当开发板从Norflash启动时，可以实现对Nandflash存储器的全部操作，包括读ID，读内存，擦除和写入均成功！！！！
但当开发板从Nandflash启动时，可以实现对Norflash存储器的全部操作，包括读ID，读内存，擦除和写入，但是擦除和写入操作均无效！！！！但如若把基地址从0x0改为0xxxxx（即Norflash地址）会如何？有机会了验证一下。
3、Norflash和Nandflash核心操作方法的区别：
答：1)Norflash是以指令集合表为参照，而Nandflash是以具体操作时序图为主，辅以指令集合表。
2)Nandflash需要设置的时间参数只有三个：

#define TACLS	0
#define TWRPH0	1
#define TWRPH1	0
/* Nandflash初始化 */
void nand_init(void)
{
	NFCONF = ((TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4));
	NFCONT = ((1<<4) | (1<<1) | (1<<0));
}

4、头文件的具体外部要声明的函数，是全部声明，还是只需要声明外部程序要调用的函数?
答：未解决
5、程序在中断课程烧写到Nandflash没有问题，刚进入Norflash课程，再烧写到Nandflash就会不停地打印乱码，打印如下：
(补充：Nandflash控制器已经设置完毕)
600000db Undefined instruction exception! 600000d3swi exception!
00000123 200000db Undefined instruction exception! 000000d3swi exception!
00676e69000000db Undefined instruction exception! 00000050swi exception!
000000b060000050 Undefined instruction exception!
在Norflash课程之前程序都小于4K，可以直接在SRAM运行; 超过4K的程序就会崩溃，为什么？
答：代码超过4K，超过部分不能在SRAM运行，如要执行，需要重定位到SRAM;
但当恰好重定位代码的程序在4K之外时，程序就不能重定位，执行之外的程序时就会崩溃…
6、Norflash与Nandflash的读/写操作对比
1)nor
读出/写入以字节为单位，擦除以扇区(block/sector)为单位；但由于Norflash位宽16bit，一般把数据构造成16bit然后再写进Norflash中。
写入之前
可以从任意地址开始读出任意字节长度的数据并打印;
可以从任意地址开始写入任意字节长度的数据并打印;
从任意地址执行擦除操作都会自动完成对该地址所在的扇区的擦除;
不擦除直接写，虽然可以改写存储空间，但写入的都是乱码;
读内存：Norflash只需要CPU发出读命令和地址，等待Nor准备好数据，直接读需要的地址上的数据即可(刚上电或者重启Nor处于read存储单元状态);
问：片选的操作？是内存控制器自动帮助Nor的片选置位？ 答：未知;

几何结构：chip–sector（区块）–block（扇区）;
数据位宽：16bit； 容量：2M
读操作：读nor内存是随便读，一个地址读1字/字节；单位：字节/字（可以16bit）
擦除操作：单位：1block，8K/16K/32K/64K;
写操作：单位：字节/字（可以16bit）
写/擦除操作之后需：wait_ready( ) ;
Norflash不需要初始化；
2)nand
读出/写入以字节为单位， 擦除以块(block)为单位;
可以从任意地址开始读出任意字节长度的数据并打印;
可以从任意地址开始写入任意字节长度的数据并打印;
不擦除直接写，虽然可以改写存储空间，但写入的都是乱码;
//从任意地址执行擦除操作都会自动完成对该地址所在的扇区的擦除;–未经验证;
读内存步骤：
读操作时选中片选，发出5个地址（2纵3行），等就绪然后读出，读结束时关闭片选;需要手动完成对片选CE的操作;
写操作同理，选中片选，发出5个地址（2纵3行），等就绪然后开始写，写结束时关闭片选;需要手动完成对片选CE的操作;

几何结构：chip–block（块）–page（页）
数据位宽：8bit； 容量：256M
读操作：读nand内存前后各需一条命令，发出一个地址(2列3行共5次)后，反复读寄存器NFDATA可得本页内该地址及之后的连续flash空间的内容；单位：字节;
写操作：写nand内存前后各需一条命令，发出一个地址(2列3行共5次)后，反复写数据到寄存器NFDATA可即可把数据写入从该地址及之后的连续flash空间中 ；单位：字节;
擦除操作：单位：1block，128K;
写操作：单位：字节；
读/写/擦除操作之后均需：wait_ready( ) ;
Nandflash需要初始化，然后才能使用！

3)SDRAM
问：片选的操作？是内存控制器自动帮助SDRAM的片选置位？
答：未知;可能在寄存器BANKCON6/7中设置了nGCS6,nWE及其他引脚的工作状态。
SDRAM需要进行sdram_init()，之后才能使用，但是使用的时候不需要任何别的预操作，即可从任意地址开始直接读/写任意长度。
7、对Nandflash读内存操作时，对于地址addr：
unsigned int addr; //长度是否足够？
int page = addr/2048; //0~2^11: page;
int col = addr & (2048 - 1); //2^11~221: col;
但是列地址有2个，行地址有3个; 数据位宽8bit?
答：unsigned int寻址长度4G，足够;
8、对Nand_init.c的功能增加
a) 可以打印所有读到的数据 按照：地址，长度？
b) 实现NAND测试菜单中的 [r] Read nand flash
c) 读OOB检测坏块, 改进nand_read实现碰到坏块就跳过 // lib_nand
答：坏块检测暂时未实现;
9、NOR，NAND，SDRAM的区别
1)flash闪存是非易失存储器, sdram是易失存储器
2)Nor擦除和写都是以block（扇区）为单位，先擦除后写，读写操作是以字节为单位的任意地址任意长度字节;
擦除地址：（必须？）扇区地址，整块擦除，无需擦除长度;
Nand擦除是以block（块）为单位，读写操作是以字节为单位的任意地址任意长度字节;
擦除地址：（必须？）扇区地址，擦除长度为1block长度整数倍，也是整块擦除;
3)Norflash能存程序也能执行程序; Nandflash能存程序但不能执行程序; SDRAM和SRAM都不能存程序，但能执行程序;
4)Norflash无需任何命令可以直接读(可用指针对地址循环加，读连续空间，然后打印);
Nandflash需要发两次命令和地址才能读(读连续空间，不可用指针循环加读，需先读出转存，然后打印);
5)nandflash擦除之后才可以写入，不然无效; 连续写入虽然可以改写，但是打印是乱码！
6)Nandflash擦除之后：I/O 0 =0 Successful Erase;
I/O 0 =1 Error in Erase;

注意：
当擦除Norflash代码区(特别是重定位及其之前的引导程序)时，主函数执行全局变量写操作的flash测试时死机(为什么？)，并且复位之后也死机！
当擦除Nandflash代码区(特别是重定位及其之前的引导程序)时，复位之后死机！
具体还有别的现象的产生，可根据擦除破坏的内存地址和该地址所存储的代码具体分析。

10、jz2440_Nandflash芯片手册：读、擦除、写命令序列