【海东青电子-简书】touchgfx 之 《IAR-hex文件的烧写方法》

IAR ---- 跟KEIL一样，TouchGFX自动生成的工程项目，在IAR中同样不能正确烧写片外flash！不过，经过适当的手动配置，IAR是可以烧写片外flash的，只是要费些周折。下面以Clock例程为例说明配置过程。

以STM32F769I-DISCO板子为例，创建一个TouchGFX工程，并使用系统自带的Clock例程：

 

 

图一

不需要编写任何代码，使用Clock例程就行，先运行VS、看看在仿真器上是否能正确跑起来这个Clock。然后，进入IAR，因为使用的是目前最新的IAR版本V8.32，所以要使用 IAR8.x 这个目录下的IAR工程：

 

 

图二

这个目录中还有 .board、.flash等文件，这些文件非常重要，烧写flash就靠他们了，后面将详述。双击 application.eww ，打开IAR，如果弹出询问是否升级的窗口：

 

 

图三

选择 Yes ，转换成新版的工程文件，然后就进入了IAR界面。 按下 F7 编译：

 

 

图四

IAR正确生成了out 和 hex 目标文件。尝试下载：

 

 

图五

弹出一个错误信息：

 

 

图六

大意是：系统在生成flash算法时出错了，左下方的 Debug Log 中有详细解释：

 

 

图七

图七中显示了一个警告：烧写flash警告，代码段位于地址 [0x90000000,0x9003CC5F] 范围的将不能被烧写。这个地址范围正是片外flash的地址，检查一下当前IAR关于烧写flash的配置情况，Alt+F7 打开工程选项，在  =>调试器=>下载  选项页下，有一个 .board 文件：

 

 

图八

IAR项目主目录下有一个 FlashSTM32F76xxI.board 文件，它描述了目标板子上flash的“配置”情况，在上图中直接点击 Edit 按钮就可以打开这个文件：

 

 

图九

可以看到，.board 文件中描述了F7片内2个地址段对应的烧写算法文件（.flash文件），但没有配置片外地址为0x9000 0000开始的flash对应的算法文件，所以造成烧写失败。

通过查找IAR的相关资料，并仿照另外一个IAR支持片外flash烧写的ST官方开发板的 .board 文件，针对 STM32F769I-DISCO 板子重新编写了几个烧写片外flash的算法文件、一共6个文件如下：

 

 

图十

 

算法文件下载

链接：https://pan.baidu.com/s/16BPxsdbIBEbyMNknpBeB9Q
提取码：9mkz

将这6个文件全部copy到IAR工程目录下：

 

 

图十一

在IAR中重新指定烧写flash的 .board 文件为 FlashSTM32F769I-DISCO.board ：

 

 

图十二

 

再次点击 Edit 查看：

 

 

图十三

地址0x9000 0000已经有对应的算法文件了（并且，去掉了本项目中没用到的TCM flash）。再次下载，目标板成功烧写：

 

 

图十四

板子实际跑的效果：

 

 

图十五

也许有网友好奇：那个 FlashSTM32F769I-DISCO.board 文件，以及其他5个文件是怎么做出来的？对这些文件制作过程以及分析思路感兴趣的朋友请继续往下看。

 

 

烧写算法文件制作

我们使用自己修改的 .board 文件成功实现了IAR烧写片外flash，下面说说这个 .board 文件的制作过程。

KEIL中的flash算法烧写文件是 *.flm 文件，例如，STM32F769I-DISCO 板子对应的是 STM32F769I_QSPI_Macronix.FLM  文件：

 

 

图一

这是一个经过编译的二进制文件，ST的每一个开发板都对应着一个 flm 文件。在IAR中，flash算法烧写文件是 *.board 文件：

 

 

图二

这是个文本文件（脚本），内容是若干flash地址对应的 .flash 描述文件。以 FlashSTM32F7xx_STM32F746G-DISCO.board 为例，其中包含了3个 .flash 文件：

1）0x08000000 0x080FFFFF      FlashSTM32F74xxG.flash

2）0x00200000 0x002FFFFF      FlashSTM32F74xxG_TCM.flash

3）0x90000000 0x90FFFFFF     FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.flash

.flash 文件也是文本文件（脚本），包括2部分内容：指明如何读写flash的二进制算法文件 .out ，以及描述flash总线初始化、芯片pin定义的 .mac 文件。以 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.flash 为例，它描述了片外flash如何烧写，其中一个文件是 FlashSTM32F7xx_QSPI_MICRON.out ，表明flash品牌是MICRON，这是个二进制文件，所有MICRON的flash都是用它来读写；另一个文件是 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.mac，是个文本文件，打开这个文件可以看到 QSPI 接口用到的6个pins ：PB2、PB6、PD11、PD12、PD13、PE2。

总结一下IAR烧写flash过程：先读取 *.board 脚本文件，再读取不同地址映射的 *.flash 文件，从中获得读写flash的二进制代码 *.out 文件，同时读取 *.mac 宏定义脚本文件、对MCU内部、外部flash初始化，并获得片外flash接口的pin定义，至此，烧写片内、片外flash的信息已经齐备，之后就是具体的烧写操作了。

了解了这个过程，下面可以开始处理如何烧写 STM32F769I-DISCO 板子了。这个虽然是ST官方的板子，但 IAR V8.32 并不直接支持烧写。第一步，我们先要弄明白板子上flash的型号和pin定义，在《TouchGFX工程中hex目标文件的烧写方法（一）使用ST-LINK》中，已经知道片外flash是 MACRONIX 的 MX25L512G ，管脚定义见下图：

 

 

图三

 

 

图四

 

图五

QSPI接口片外flash的6个pin是：PB2、PB6、PC9、PC10、PE2、PD13。很遗憾，IAR自带的 STM32F746G-DISCO 板子的算法文件描述的是MICRON的芯片、并且QSPI管脚定义也不兼容，无法直接拿来使用。经过仔细查找，发现 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.mac 文件中定义的6个pin跟  STM32F769I-DISCO 板子上的完全相同！就是说，把 FlashSTM32F7xx_STM32F723E-DISCO.board、FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.flash、FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.mac 移植过来（几乎是原样照搬^_^）就行了。

 

 

图六

修改过的文件改名为：FlashSTM32F769I-DISCO.board （所有移植后的文件下载地址见文章末尾），在IAR中加载这个 .board 后、可以烧写片外flash了。

有一个细节需要注意：IAR项目主目录下有一个自动生成的 FlashSTM32F7xxx_384kB.out 文件，如果使用这个文件，板子可以烧写、不报错，但板子reset后并不能正确运行！而使用 FlashSTM32F7xxx_192kB.out 则没有问题。没弄明白这是为什么、也不一定有代表性，这里记录一下、仅供参考。

 

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