EMP
EMP电磁脉冲装置元器件清单
元件器 说明
R1 3个47k，1W电阻(黄一紫一橙)串联连接
D1,D2 两个16KV，10ma快速恢复高压整流器
C1 0.05uf，5kv电容
L1 采用#12铜线绕制的电感，绕3圈，直径1cm
L2 电感线圈，见文中说明
基本理论概述:
信号对敏感电路干扰的能力需要有几个属性。大多数微处理器由工作电压非
常低的场效应晶体管(FET)组成。一旦工作电压过大，灾难性故障就即将来临。
在实际中是不能宽恕这种过压错误的，因为控制部件之间为超细金属氧化物。在
这些控制部件之间产生的任何过压，必然产生永久性破坏，在某些严重的场合下，
还会导致程序消失。由外部电源产生这些破坏性电压需要电压的波动，这种波动
能够在电路板的走线上、元器件和其他关键点上产生持续的能量波动。因此，对电
路来说，外部信号的能量必须足够高，因为在这个波长上，几何尺寸是能量非常重
要的一部分。微波具有快速的上升时间(等效为傅里叶频率高)，且持续时间短，因
此会获得最好的效果。所需要的能量是巨大的，这个能量势必会产生更大的破坏。
一种良好的度量方法是能量除以波长的商。大功率的微波脉冲能够通过下面介绍
的几种方法产生。
爆炸物的磁力线压缩驱动虚阴极振荡器，其一般的相关物能够仅从几百焦耳
产生千兆瓦的峰值功率。最初始的电流变成脉冲送入电感器，而电流的峰值被成
形的爆炸物电荷压缩，因而捕获磁力线并产生很高能量的电流源。利用极高速度
的爆炸物如三甲基三硝胺(cyclotrimethyltrinitramine)，它的派生词是PETN或相
当能量的爆炸物，线圈沿着其轴向和径向压缩。这些捕获的磁力线产生能量增长，
通过微波激励(HEPM)变成最终的大功率峰值的脉冲。像原子能初始爆炸一样，
磁力线压缩需要爆炸充电器的精确定时。对于磁力线压缩，克里管(Krytron)开关
或类似开关可以用来代替大多数的增强抗辐射的Sprytrons, Sprytrons用在原子
能初始反应，在原子能初始反应中，由固有的裂变物质产生电离辐射。
虚阴极振荡器也可以很方便地由小型Marx脉冲发生器产生200^}4ookV的
激励。快速的上升电流以及大的峰值功率能够产生强大的微波脉冲。
其他方法包括爆炸丝(exploding wire)。这种方法允许能量流向LCR电路，
因为爆炸丝在附近蒸发，反馈线的爆炸快速地中断峰值注人电流。一个上升速度
很快、能量非常大的脉冲就产生了，这种方法能够产生电磁脉冲(EMP) e
微波脉冲对于破坏敏感电子电路是一个非常优秀的候选者。但是其低得多的
电路概括：
图11. 2中的电路给出了
一种简单的获得傅里叶(Fourier)等效带宽大于100MHz大功率脉冲的方法。
虽然功率和频率相对较低，但对众多的目标电路，近距离的效果是可行的。
这个表达式意味着在放电电路中没有电阻(R)，这只是一种理想的情况。
实际情况中，现实世界的电阻是其中因素之一，在上述理想条件下e到一阮/RMS
(L/C)」服必须是一个因子，这意味着是一个衰减的波形
二极管D1f是10kV、10mA快速恢复二极管
电阻尺1是3个47ko、IW的电阻串联，并将二极管与放电电路隔离，放电电流为dy/山
电感乙2在期望的谐振频率下将天线的容性反馈关掉
电容}1是“极快”的电容，用于产生非常快的上升时间，以引爆触发器或点燃烈性
炸药，因此要求有很高的峰值放电电流。电容的结构为微带，HV和高压公共线可以接上ZVS退高压包的高压包输出的线上！
该设计采用了高频等离子源，将等离子源改变为直流充电源，并通过采用无损
耗的电抗性整流使得电路功能性短路。这意味着电容在没有耗能电阻的情况下进
行充电，就像电池供电中只有复电流实部时看到的情况一样。
现在，改进的充电源可以对蓄电电容(c1)提供充电电流，并充电至SG1,两端
火花放电所需要的电荷。电流通过L1快速升高，并且沿着电路和集总电容(Cint）
返回。现在谐振电路已经祸合到系统发射器中，为了产生谐振峰，火花隙SG1必须
断开以允许能量循环地放电。为了获得最佳效果，必须进行火花隙的调整实验。
(2)用0. Sin的铜条或#14实心铜线制作一个3圈、直径lin的线圈(L1)，如
图11. 4所示。需注意，线圈的引线分别接电容C:和火花隙支架.
(3)如图所示在C1和L1的接点处连接输出口
接到辐射发射器
(4)注意，增加的二极管D1和D2是用来将输出变换为直流的。
(5)你会注意到线圈(Lz)与输出引线串联。这个电感将引线的容性作用与终
端的容性隔离开。本实验采用无线电波或吸波表来决定L,1/C2的谐振频率。选择
L2的电感值以提供最大的辐射距离。
(6)对各种电子设备进行试验，并且观察不同距离处的效果
据说这个电磁脉冲，对着小区，可以让小区的车都响起来！
勿对重要家电发射！会损坏家电的！用来破坏无线设备是轻而易举的事！不要对电视塔等等的地方，否则会触犯法律
元件器 说明
R1 3个47k，1W电阻(黄一紫一橙)串联连接
D1,D2 两个16KV，10ma快速恢复高压整流器
C1 0.05uf，5kv电容
L1 采用#12铜线绕制的电感，绕3圈，直径1cm
L2 电感线圈，见文中说明
基本理论概述:
信号对敏感电路干扰的能力需要有几个属性。大多数微处理器由工作电压非
常低的场效应晶体管(FET)组成。一旦工作电压过大，灾难性故障就即将来临。
在实际中是不能宽恕这种过压错误的，因为控制部件之间为超细金属氧化物。在
这些控制部件之间产生的任何过压，必然产生永久性破坏，在某些严重的场合下，
还会导致程序消失。由外部电源产生这些破坏性电压需要电压的波动，这种波动
能够在电路板的走线上、元器件和其他关键点上产生持续的能量波动。因此，对电
路来说，外部信号的能量必须足够高，因为在这个波长上，几何尺寸是能量非常重
要的一部分。微波具有快速的上升时间(等效为傅里叶频率高)，且持续时间短，因
此会获得最好的效果。所需要的能量是巨大的，这个能量势必会产生更大的破坏。
一种良好的度量方法是能量除以波长的商。大功率的微波脉冲能够通过下面介绍
的几种方法产生。
爆炸物的磁力线压缩驱动虚阴极振荡器，其一般的相关物能够仅从几百焦耳
产生千兆瓦的峰值功率。最初始的电流变成脉冲送入电感器，而电流的峰值被成
形的爆炸物电荷压缩，因而捕获磁力线并产生很高能量的电流源。利用极高速度
的爆炸物如三甲基三硝胺(cyclotrimethyltrinitramine)，它的派生词是PETN或相
当能量的爆炸物，线圈沿着其轴向和径向压缩。这些捕获的磁力线产生能量增长，
通过微波激励(HEPM)变成最终的大功率峰值的脉冲。像原子能初始爆炸一样，
磁力线压缩需要爆炸充电器的精确定时。对于磁力线压缩，克里管(Krytron)开关
或类似开关可以用来代替大多数的增强抗辐射的Sprytrons, Sprytrons用在原子
能初始反应，在原子能初始反应中，由固有的裂变物质产生电离辐射。
虚阴极振荡器也可以很方便地由小型Marx脉冲发生器产生200^}4ookV的
激励。快速的上升电流以及大的峰值功率能够产生强大的微波脉冲。
其他方法包括爆炸丝(exploding wire)。这种方法允许能量流向LCR电路，
因为爆炸丝在附近蒸发，反馈线的爆炸快速地中断峰值注人电流。一个上升速度
很快、能量非常大的脉冲就产生了，这种方法能够产生电磁脉冲(EMP) e
微波脉冲对于破坏敏感电子电路是一个非常优秀的候选者。但是其低得多的
电路概括：
图11. 2中的电路给出了
一种简单的获得傅里叶(Fourier)等效带宽大于100MHz大功率脉冲的方法。
虽然功率和频率相对较低，但对众多的目标电路，近距离的效果是可行的。
这个表达式意味着在放电电路中没有电阻(R)，这只是一种理想的情况。
实际情况中，现实世界的电阻是其中因素之一，在上述理想条件下e到一阮/RMS
(L/C)」服必须是一个因子，这意味着是一个衰减的波形
二极管D1f是10kV、10mA快速恢复二极管
电阻尺1是3个47ko、IW的电阻串联，并将二极管与放电电路隔离，放电电流为dy/山
电感乙2在期望的谐振频率下将天线的容性反馈关掉
电容}1是“极快”的电容，用于产生非常快的上升时间，以引爆触发器或点燃烈性
炸药，因此要求有很高的峰值放电电流。电容的结构为微带，HV和高压公共线可以接上ZVS退高压包的高压包输出的线上！
该设计采用了高频等离子源，将等离子源改变为直流充电源，并通过采用无损
耗的电抗性整流使得电路功能性短路。这意味着电容在没有耗能电阻的情况下进
行充电，就像电池供电中只有复电流实部时看到的情况一样。
现在，改进的充电源可以对蓄电电容(c1)提供充电电流，并充电至SG1,两端
火花放电所需要的电荷。电流通过L1快速升高，并且沿着电路和集总电容(Cint）
返回。现在谐振电路已经祸合到系统发射器中，为了产生谐振峰，火花隙SG1必须
断开以允许能量循环地放电。为了获得最佳效果，必须进行火花隙的调整实验。
(2)用0. Sin的铜条或#14实心铜线制作一个3圈、直径lin的线圈(L1)，如
图11. 4所示。需注意，线圈的引线分别接电容C:和火花隙支架.
(3)如图所示在C1和L1的接点处连接输出口
接到辐射发射器
(4)注意，增加的二极管D1和D2是用来将输出变换为直流的。
(5)你会注意到线圈(Lz)与输出引线串联。这个电感将引线的容性作用与终
端的容性隔离开。本实验采用无线电波或吸波表来决定L,1/C2的谐振频率。选择
L2的电感值以提供最大的辐射距离。
(6)对各种电子设备进行试验，并且观察不同距离处的效果
据说这个电磁脉冲，对着小区，可以让小区的车都响起来！
勿对重要家电发射！会损坏家电的！用来破坏无线设备是轻而易举的事！不要对电视塔等等的地方，否则会触犯法律