MOS管基本构造和工作原理

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(三)

MOS管基本构造和工作原理_第1张图片

如下图,如果在门极和衬底之间加垂直电场(注意这个电场并不能在门极和衬底之间形成电流,原因是门极和衬底之间有一层二氧化硅),这个电场会把N型半导体中的多子(空穴)往下推,会把P型半导体中的少子(自由电子)往上吸,这样就会形成左边箭头指的反型层,相当于在两口井之间形成导电沟道,这个沟道把两口井连在了一起,这个时候如果再在漏源(D-S)之间加电场,就导电了。

MOS管基本构造和工作原理_第2张图片

源极和衬底之间默认是连接的。

N沟道P型衬底

P沟道N型衬底

符号记忆方法:箭头方向是内电场方向(非外加电场)

MOS管基本构造和工作原理_第3张图片

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