对于STM32使用FSMC驱动传统8080并口器件方式（TFT）的理解（上）

大容量且引脚数在100脚的STM32芯片都带有FSMC接口。

一般的资料对其的描述是“灵活的静态存储控制器”，我对它的理解其实就是一个外部总线，且是一个可以自己定义时序的总线并且速度不慢，当驱动8080接口的器件是时，由于STM32没有自带硬件8080接口的控制器，如果只是使用GPIO来实现此时序的话，会占用大量的CPU资源，所以这个时候就可以考虑采用FSMC功能。

FSMC支持SRAM，NAND FLASH和NOR FLASH等接口。FSMC将外部设备分为三类，分别是NOR/PSRAM设备，NAND设备和PC卡设备。他们共用地址数据总线等信号，通过不同的片选CS来区分不同的设备。

为什么要把TFT当成SRAM设备来使用呢？

一般的外部SRAM有如下几根线：地址线（A0~A18），数据线（D0~D15），读信号（WE），写信号（OE），片选信号（CS），如果SRAM支持字节控制的话，还有UB和LB信号。

而8080接口的LCD有如下几根线：复位信号（RST），数据线（D0~D15），读信号（RD），写信号（WD），片选信号（CS）和读写功能标志（RS）。

好像上面两种接口都很类似诶…

唯一不同的，就是TFT没有地址信号，但是有RST信号（这两个可以通过软件来控制）。

而TFT的RS信号是用来决定传输数据还是命令的信号，所以在本质上还是可以理解为是一个地址信号。比如我们可以将A0接在RS上，那么当FSMC控制器写地址0的时候，就实现了对RS信号的改变。这样，就将TFT写命令还是写数据的过程区分开了，并且不用软件控制（在我的开发板上是将RS接在A10上的）。

STM32的FSMC支持8/16/32位的数据宽度，因为是8080并口，所以选择16位数据宽度。

FSMC分为四个256M的存储块。一个块分为4个区，一个区管理64M的空间。一个块（256M）通过28根地址线来寻址（HADDR[27：0]），其中0~25用来寻址空间，26~27来寻址四个区。其中26~27是不用干预的。

当1区接的是16位宽的外设时，HADDR[25:1]—FSMC[24:0]

当1区接的是8位宽的外设时，HADDR[25:0]—FSMC[25:0]

但是不论接16位还是8位外设的时候，FSMC_A[0]永远对应外围设备地址A[0]。

驱动TFT时，HADDR的第一位并没有用到，相当于右移了一位。

可以通过设置以下寄存器来改变FSMC时序的参数，由此来实现使FSMC适应更多的外设。

FSMC_BCRx，FSMC_BTRx，FSMC_BWTRx，其中x表示1~4个区的编号。

一般使用FSMC的异步模式A来控制TFT（具体其他模式可以参考STM32参考手册）。

好多啊…明天再写吧。