RRAM-突触的模拟

RRAM-突触的模拟

Flexible Pyrene/Phenanthro[9,10-d]imidazole-based Memristive Devices for Mimicking Synaptic Plasticity

wiley旗下的一个新刊上的文章，来自深圳大学的团队发表的

部分摘要：
形成突触的器件：memristor,ferroelectric memory,phase-change memory,resistive memory,field-effect transistor,CMOS
circuit ;

特点：
用的材料比较新：pPPI（1-phenyl-2-(4-(pyren-1-yl)phenyl)-1Hphenanthro[9,10-d]imidazole）
做了DFT辅助分析电子传输

上图测量了pPPI的U-V吸收谱 P-L谱 （前两个主要是和透明度相关），DFT等

对不同的限流和限压条件下的I-V循环做了测试，SET和RESET电压均可接受
结构：典型的MIM结构，电极很常见。

电学特性测试与机制分析如下：

具备较好的循环特性，根据拟合结果给出了解释；
图3(g) 起始高阻态，0-0.5为欧姆导电；0.5-4.4 ：Child’s law;
补充资料，从能带的角度解释：
疑问：载流子类型的判断？本文中为对空穴的捕获和释放。

突触特性测试：


附加：
PPF的测试与计算：PPF/PPD index =(ΔI2 -ΔI1)/ΔI1
（短时程）

图g 和 h 是 对称型的Hebbian学习规则（长时程）

附加：Hebbian 的脉冲添加


权重计算公式如上图；

忆阻器资料：https://fgk.pw/i/2QGLcZn0635