TFT-LCD驱动程序设计（系列一）

在开发中LCD触摸屏幕使用的频率特别高，所以我要写个系列，将TFT-LCD讲的透彻一些，做一个专题，今天的主要是读正点原子的F4开发手册的重要知识总结和分析，供大家参考借鉴指点啊。有问题请指点，感激不尽。

驱动原理：

我们选用FSMC来驱动外部SRAM的原理来驱动TFT-LCD，这样就不用自己配置IO引脚的时序，那样速度慢，而且麻烦，外部的SRAM控制线一般的有：n根地址线，n根数据线，写信号，读信号，片选信号，还有的支持字节控制的控制信号。而我们的TFT-LCD用到的RS,D0~D15,WR,RD,CS,RST,BL等，其中真正操作的是RS(判别指令和数据)，D0~D15,WR,RD,CS。
其中值得一提到的是将RS接在地址线的最低位时候，向地址写0的时候传输的是命令，当地址写1的时候传输的是数据了而且可以方便的连续内存操作，创建LCD地址结构体的时候就有应用了。
FSMC将外部存储器分为4个区域，每个区域固定256M，地址是6000 000h~6FFF FFFFh,7000 0000h~7FFF FFFFh,8000 0000h~8FFF FFFF,9000 0000h 9FFF FFF
每个Bank区被分为4个小区，每个区管理64M，每个小区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。

HADDR是内部AHB地址总线，值得一提的是HADDR[26:27]对Bank1区进行片选，使用FSMC_NE3链接外部设备就配置了HADDR[27:26]=10；我们只要配置对应3区的寄存器组就可以对外部设备操作了。

数据手册标注：
“不论你的存储器是8位还是16位的，FSMC_A[0]永远都要接在外部设别地址A[0]；
当接16为存储器时，HADDR[25:1]->FSMC_A[24:0];
,当接8位的存储器时候，HADDR[25:0]->FSMC_A[25:0]”(我还是不太明白，大体上就是地址方便自增，我似乎明白又似乎不太明白，理解深的大神请指点“)；


实际配置中，我们根据寄存器类型的特征确定时序模型，根据存储芯片数据手册给定的参数指标，计算出FSMC中所需要的各时间参数，从而对时间参数寄存器进行合理配置。
模式A支持独立的读写时序控制，这对驱动TFT-LCD非常有用，因为读的时候比较慢，写的时候比较快。这样满足速度的要求，又不需要频繁更改配置。  

 

                 模式 A 读操作时序图                  模式 A 写操作时序

通过设置ADDSET 和 DATAST的值来实现不同存储设备的配置，这些参数在FSMC的配置寄存器中进行修改。FSMC_BCRx，FSMC_BWTRx，FSMC_BTRx。

根据上面的原理考虑：

设计两个结构体，一个是LCD地址结构体，包括了寄存器地址和RAM地址

一个是LCD的重要参数集（我们常用结构体来表示一个控制器，控制器里面有函数指针，数据指针，变量，自定义结构体等），包括：

LCD的高度，宽度，LCD的ID，LCD的横竖屏标志位，x，y坐标的设置指令（不同驱动器不同），开始写gram之前的指令。