一般MOS管的参数,Vgs和Vgs(th)分别是什么意思,区别是什么?????
Vgs:指g和s之耐压值,一般为±20V. Vgs(th):MOSFET开始ON时的输入电压值. |
Vgs(th)这个值很关键,选MOS时一定要注意。
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MOS管和三极管在功能上有什么区别?这两种元件本身就可以看作一个基本单元,一个独立的器件,就算拆开外壳,用肉眼也找不出什么差别,从工作原理上理解又謷牙诘屈,这次从一个简单的触摸灯电路来感受一下二者功能上的区别。
这个触摸灯电路如下,图的右下角也说明了这个电路操作过程,如果用手同时触摸MOS管的G极(栅极)和电源正极,那么LED灯就会发光,即使手松开灯也继续亮,至于为什么会这样,可以简单理解为:当G极电位升高后,会在D极(漏极)和S极(源极)之间形成一个导电沟道,这个沟道就相当于一根导线,因此线路导通了。
导通时D极与S极之间的压降也能用万用表量出来,压降接近于0 V,在昨天那篇文章已经介绍过了。
如果用手同时触摸G极和电源负极,那么这个LED灯就会熄灭,之所以会这样,那是因为这个沟道夹断了,理解起来刚好和导通时相反。
那如果把MOS管换成三极管现象还是这样吗?更换的原理图就是下图中右面那个电路,实际上换成三极管,同时触摸三极管基极和电源正极(相当于MOS管的栅极和电源正极)这个LED灯也会亮,不过当手松开后这个LED灯会立马熄灭。
为什么和用MOS管现象不同呢?我们回忆一下三极管工作于放大状态时的条件:发射结正偏,集电结反偏。
如果用手同时触摸基极和电源正极,这两个条件都满足,所以三极管导通了,LED灯也亮了;如果此时送开手,集电结反偏仍然满足,但是发射结正偏已经不满足了,因此三极管会截止,对外表现就是这个LED灯会熄灭。
从这也能感受出来,MOS管确实比三极管好用,确实MOS管与三极管相比有很多优点,例如
MOS管是电压控制性器件,三极管是电流控制性器件,因此MOS管更节能。MOS管只有多数载流子参与导电,三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电,因此MOS管热稳定性更好。MOS管灵活性比三极管好。在工艺上MOS管更易于集成。MOS管导通时导通压降小(接近于0 V,而三极管工作于放大状态大于0.3 V)。
MOS管的优点也不止文章中列出来的这几点,感兴趣的朋友可以查阅一下相关资料。
MOS管在硬件设计中经常使用到,下面是N型MOS管,包括栅极G,源极S,漏级D。
P型的MOS管的电路符号如下:
MOS管和三极管类似,只不过 MOS管是压控压型(电压控制),而三极管是流控流型(电流控制)。
至于MOS管的使用,N型与P型存在区别,对于应用,我们只需要知道:
1、对于N型MOS管,若G的电压比S处高(G、S间存在压差,具体电平看具体MOS管 ),D、S(电压方向D指向S)之间就会导通,此时D、S间相当于一个很小的电阻,若G、S之间为低(具体电平看具体MOS管 ),D、S之间就会截止,此时D、S间相当于一个很大的电阻,电流就无法流过。
2、对于P型MOS管,若S的电压比G处高(G、S间存在压差,具体电平看具体MOS管 ),D、S之间就会导通(电压方向S指向D),此时D、S间相当于一个很小的电阻,若G、S之间为低(具体电平看具体MOS管 ),D、S之间就会截止 ,此时D、S间相当于一个很大的电阻,电流就无法流过。
N型MOS管应用的场景更多,相比于比P型MOS管,其优点如下
1、开关速度更快
2、耐压更高
3、通过的电流更大
下面是N型MOS管的一个简单的引用电路,当G端通入高电平,MOS管D、S间导通,此时MOS管导通,电机的电流得以通过,电机转动。当G端为低电平的时候,D、S间无法导通,电机也就无法运行。
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G极(gate)—栅极,不用说比较好认
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边
箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道
不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:
要么都由S指向D,要么都有D指向S
1>信号切换
2>电压通断
关键点:
1>确定那一极连接输入端,那一极连接输出端
2>控制极电平为?V 时MOS管导通
3>控制极电平为?V 时MOS管截止
NMOS:D极接输入,S极接输出
PMOS:S极接输入,D极接输出
反证法加强理解
NMOS假如:S接输入,D接输出
由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用
PMOS假如:D接输入,S接输出
同样失去了开关的作用
BJT
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;
FET
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件.
按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
①封装
②类型(NMOS、PMOS)
③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)
无论是NMOS还是PMOS
按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。
管脚编号
从G脚开始,逆时针123
三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。