eFuse技术

1. 概念

eFuse的概念最早来源于2004年IBM工程师的发现。该发现表明： 与更旧的激光熔断技术相比，电子迁移(EM)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。EM熔丝可以在芯片上编程，不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用I/O电路的片上电压(通常为2.5V)，一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。

通过运用eFuse技术，允许计算机芯片的动态实时重新编程。

抽象地说， 计算机逻辑通常是“蚀刻”或“硬编码”到芯片上，在芯片完成后不能改变。通过使用eFuse技术，芯片制造商可以允许芯片上的电路在运行时发生变化。该技术的主要应用还主要是为了芯片的性能调优。如果芯片局部发生问题，例如存储器发生问题，或者需要花费太长的时间来响应，或者消耗了太多的电力，那么芯片就可以通过“blowing”一个eFUSE来立即改变它的行为，已保证其他功能不受影响。

具体些说， eFuse有点类似EEPROM ，都属于 一次性可编程存储器，eFuse ROM里初始都是1，当且仅能一次把1改成0，也就“blowing”这个eFuse来进行编程，这样芯片内部的电路就发生了改变，该技术对消费者而言没有任何成本的增加。

2. 当前应用

• IBM POWER5 and POWER6 high-end RISC processors
• IBM System z9 and System z10 mainframe processors
• Sony/Toshiba/IBM Cell used in PlayStation 3
• IBM/Microsoft Xenon CPU in the Xbox 360 game console.
• In the Nintendo Switch's bootloader [1]
• TI OMAP3-based mobile phones and other devices[2][3]
• Samsung KNOX-enabled devices (KNOX warranty void bit)[4]