NPN晶体管饱和状态时，uce

ube>Uon（开启电压）时，发射区自由电子由扩散运动到达基区 ，此时发射区、基区和集电区都有了自由电子，集电极C和发射极E相当于导通了，这时可以把晶体管等效于一根导线，如上图所示（基本共射放大电路）。当然这个图不是完全正确，但不影响这个问题的分析。

此时无论管压降uce>ube或uce

即使将基极短路，也就是去掉基极，集电极和发射极也有电流，这个电流称为穿透电流。穿透电流越小，晶体管的质量越好。

至于放大区要求uce≥ube的原因：集电区无法从发射区直接搬运自由电子（以下简称电子），得等到Ube把电子从发射区搬运到基区后，集电区再从基区搬运一定比例的电子，至于这个比例的多少由管压降Uce决定。

那么有人要说了，饱和时，uce

从路径上分析，集电区从基区搬运电子，电流ic走的通路是：Vcc正-Rc-集电区-基区-发射区-Vcc负（大地），只是经过了基区，抗衡的只是基区的电位。但基区要想从集电区搬运电子，走的通路就是：Vbb正-Rb-基区-集电区-Rc-Vcc-Vbb负（大地），他要对抗的是Vcc这个强大军团。事实上Vcc>Vbb，以保证放大区集电结可以反偏。图中一个画了四条横线，一个只画了两条横线，以示大小。

概括说，基极-发射极的电压ube影响晶体管的开启和关闭，无法影响到集电极-发射极电流ic。集电极-发射极电压uce大时，ic增大。当uce变小时，也就是ic无法继续增大时，就是大家说的饱和状态。

————参考书籍

《模拟电子技术基础》（第五版）高等教育出版社 童诗白 华成英著