2410裸板调试笔记之 5 （未整理的，可能还有错误）

接上之前的继续

    使用MDK 工具包中自带的FLASH编程算法，可以实现对nor或者nand操作，我开发板上的nand为 k9f 1208 64MB的nand
MDK自带的flash算法中不包括着款，可以自己新增一个针对K9F1208的编程算法，但要放在 ../Flash目录下

    该flash烧写的project层次如下：
        Device Description
                FlashDev.c
        Program Functions
                FlashPrg.c
                FlashHW.c

   层次还算清晰，但是我有个疑问：
        我看到 FlashDev.c 和 FlashPrg.c都包含一个头文件flashos.h
在flashos.h中主要包含一些全局变量的设置，数据结构建立，一些nand操作的函数声明
而我们使用MDK上flash下载功能时，为什么MDK就通过ulink2操作nand了呢？在这过程中
MDK通过什么机制来调用nand的一些函数来操作nand呢？
        个人猜测：MDK通过FlashOS.h文件，这个FlashOS.h直接和MDK挂钩，具体如何实现待查。

    我重新改写了nandflash的编程算法，但现在发现仍然出现Flash Timeout的错误提示，经过利用led定位方法，我查到是在 FindBlock() 函数里的 CheckBlock_HW() 出现了问题，其一直返回不了 NAND_OK, 但看了CheckBlock_HW（addr）也没有发现问题,经了解，sumsung的nand保证block开始的1stblock肯定不会是坏块。
    增加串口显示功能，这样可以有更丰富的调试信息，便于我定位问题；

    问题已经得到解决，经分析，肯定是自带flash编程算法有问题，因为 nandflash 能保证 Block0 肯定是好块 ， 即block0的page0或者page1的第517个字节肯定为0xFF，但现在查block0其仍然为坏块。明显是有问题的，通过对比 datasheet发现自带的程序中都把NFDATA当做32位寄存器来处理，但其实NFDATA是16位的，且低8位有效。所以需要把NFDATA当做 uchar来处理，按照这种思路处理后，烧写nand正常了。
    （但存在一个问题，在我使用FULL CHIP ERASE时，当进行到一定地址的时候出现 FLASH TIMEOUT错误）

    但是我的跑马灯程序烧写到nand之后运行并不正常，其一直亮着（应该有规律闪动的），估计原因应该是启动代码里出问题？？？(缺少把RW和ZI区数据搬运到RAM中的过程)
我们来分析一下：
Vectors      LDR     PC, Reset_Addr         //上电后PC指针指向的1st位置 放置RESET向量
                LDR     PC, Undef_Addr              
                LDR     PC, SWI_Addr
                LDR     PC, PAbt_Addr
                LDR     PC, DAbt_Addr
                NOP                            ; Reserved Vector
                LDR     PC, IRQ_Addr
                LDR     PC, FIQ_Addr
如果是在SDRAM(0x30000000)中调试运行，启动后PC指向0x30000000，那么在0x30000000放上Reset向量地址，在0x30000004放上Undef向量地址，依次类推（这句好像不对）。

IntVTAddress    EQU    0x33FFFF20

一旦进入调试状态后SP = 0x31000480？为什么会是这个数值呢？

在MDK下调试时，发现该工具有个缺点，因为在RAM中调试运行时，事先需要设计个调试配置脚本，里面需要加AXF文件，但是如果其axf文件路径设置不正确的话，其编译和debug的时候竟然没有任何错误提示音。这对于用户
来说很不方面，总需要花时间在查错上面？希望MDK可以改进一下。

现在在调试UART，暂且先用2410里的测试程序，开发板上的UART0，1 均运行正常。
[
    1. 在这个基础上，研读一下UART程序,了解原理（使用什么mode）。
    2. 整理好这个UART模块，作为以后的SDK一部分。
    3. 增加UART的输入响应功能，比如按键p--代表开始编程 等等
    4. 掌握其可变参函数" Uart_Printf(...)"的写法  (网上文摘： http://blog.csdn.net/ZhouHM/archive/2004/04/07/14721.aspx)
]

因为据我了解往开发板上的nand烧写boot.bin的方法有好几种，通过MDK的自动方式只是其中一种，现在我来实现通过在SDRAM中运行的nandPro程序来烧写nandflash，烧写过程中使用UART0来打印过程信息，烧录完成后
且校验OK后，打印“nand（k9f 1208）program done ok”
目前遇到个问题，查看第一个block是否为坏块的时候返回结果竟然又是BadBlock，这肯定是错误。难道I/O没有配置好。
靠仔细检查了下代码，还是没有查出原因，继续查找原因。。。。。。
这个问题的原因已经找到了，果然是NAND 控制寄存器都忘记配置，运行已经OK！！！


但是让我有点欣慰的是 2410init.s + led.c的程序生成的bin文件下载到nand的block0后，可以运行了（脱离ULINK2运行，但是这个程序很小，1.55KB）~。。~

我接着感觉把2410的 mon.bin(34KB)下载到nand中，在校验的时候在 0x4000处提示contents missmatch错误，注意这里的0x4000地址正好为16384 = 512 * 32，这之间有什么联系吗？待查
难道超过一个block尺寸的bin文件，用MDK烧录都会出现这个问题，flash编程算法还有缺陷吗？或者是MDK软件的版权限制了烧录功能？NND

隔了一个礼拜未调2410，我现在又回来了！！！现在公司，手头没带开发板，只能靠找了。决定还是依靠UART打印程序信息的方式来调试
之前已经由LED显示，现在再把串口设置也加到编程算法中，加个宏定义。
在添加串口的过程中，发现如果添加了 void Uart_Printf(char *fmt,...)可变参函数，则编译时报错“L6967E: entry point(0x00000000) points to a THUMB instruction but is not a valid THUMB code pointer”暂时不知道为什么，
所以暂时不添加这个可变参函数。