某笔试(HW)

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某笔试(HW)_第1张图片
D
某笔试(HW)_第2张图片

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C

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D

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B

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B

14

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B

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某笔试(HW)_第8张图片
B

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某笔试(HW)_第9张图片
D
中断向量地址:即存储中断向量的存储单元地址,中断服务例行程序入口地址的地址
中断向量:是指中断服务程序的入口地址

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A
提高共模抑制比,抑制零点漂移

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D

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某笔试(HW)_第12张图片
C
感觉复数的乘法应该是实数和复数分开计算,共要计算四次乘法

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B

10

某笔试(HW)_第14张图片
看不懂,乱码???

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B

13

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C

40

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B

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B

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某笔试(HW)_第19张图片
C
使晶体管工作在放大状态下的外部条件是:发射结正向偏置且集电结反向偏置

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C

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B

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D
PAL(Programmable Array Logic)可编程阵列逻辑,一次性可编程逻辑器件,

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A
一个周期的跟随作用

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C
CLB:内部包括可配置逻辑模块 CLB(Configurable Logic Block)
DCM:digital clock manager,数据时钟管理器

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D
PROM:可编程只读存储器(英语:Programmable read-only memory),缩写为PROM 或FPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。
FLASH:快闪存储器(英語:flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。

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某笔试(HW)_第26张图片
D

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B

3

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A

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D

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B

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A

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C(不确定)

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C

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C

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A
某笔试(HW)_第36张图片

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B
01和10的与非门输出结果都为1,在01转10的时候因为竞争可能出现两个同时为1,导致输出毛刺为0的结果。

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某笔试(HW)_第38张图片
A
1616/(28)=16,片选信号有8/2 = 4个,需要3位,片内地址为2k是2048为2的11次方,需要11位

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C

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B

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C
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B

多选题

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某笔试(HW)_第44张图片
D
逻辑X是不确定
逻辑Z是高阻态,既不是高电平也不是低电平
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BCD
某笔试(HW)_第46张图片
BCD
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CD
某笔试(HW)_第48张图片
ABC

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