中国光刻机研究成功

谁也无法阻止中国芯崛起 中国新型光刻机问世 可加工22纳米芯片

竞争制高点

百家号11-30 21:29

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近段时间，美国对中国高科技产业尤其是芯片领域动作频频，美方的目的世人皆知。很多人因此而对中国科技产业的未来忧心忡忡，缺乏信心。大家都知道，光刻机的研发是芯片产业的制高点之一，难度极大。像荷兰ASML光刻机就是多国合作的结果，单靠美国也是搞不出来的。而我国恰恰就不信这个邪，硬是在光刻机研发上杀出了一条新路。

近日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。该项目建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒，具有完全自主知识产权。

类似例子还有很多。在众多半导体制造设备之中，发挥最为关键作用的设备有两种，第一种是光刻机，第二种是等离子刻蚀机。目前中微开发的电容性等离子刻蚀机和电感性等离子体刻蚀机在性能和性价比上都进入国际三强。据介绍，在国内，中微半导体的高端设备产品已在逐步取代美国设备，市场占有率在步步提高。中微刻蚀机已进入国际最先进的7nm生产线，并核准了5nm器件的刻蚀应用，介质刻蚀市场占有率位列第三。美国VLSIResearch曾公布过一份全球半导体设备“客户满意度”评比，中微被评为仅次于荷兰ASML和一家美国公司的第三位。

在芯片制造方面，中芯国际联席首席执行官赵海军博士和梁孟松博士此前曾表示，中芯国际在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC，中芯国际28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量，良率达到业界水平。另一家中国芯片制造企业华虹集团董事长张素心也曾表示，华虹目前28纳米工艺产品良率达到93-98%，2020年华虹将具备14纳米FinFET产品生产能力。

另外此前据相关报道，神威E级原型机的处理器、网络芯片组等核心器件全部实现国产化；“天河三号”全部使用了自主创新技术，包括自主飞腾CPU。

8月7日，紫光旗下长江存储公开其突破性技术XtackingTM，且该技术已成功应用于第二代3DNAND产品的开发中，预计于2019年进入量产阶段。长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片。据紫光集团联席总裁刁石京透露，长江存储32层3DNAND闪存芯片将于今年第四季度量产，而其64层3DNAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，并计划于2019年实现量产。

目前中国电科自主研发的多台12英寸离子注入机进入北京中芯国际生产线量产，量产工艺覆盖至28纳米。实践证明，针对一些卡脖子的薄弱领域，中国人完全有能力研发出自己的核心芯片和装备。一些暂时攻克不了的，多给点时间，迟早也会被我们拿下。

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