笔记：CCD和CMOS传感器对比、电荷耦合转移过程

　　最近在装维摄像头时，想起光电检测那门课的一个知识点，就是两种图像传感器的区别，总是和模电三极管和mos管记混，记录一下，做好区分。

术语

COMS：互补性金属半导体

CCD：电荷耦合器件，又分线阵CCD、面阵CCD

面阵CCD再分： FTCCD（帧转移型）、ILTCCD（行间转移型）

　　　这里记录一下电荷耦合转移的过程

 　　　在二氧化硅层上置许多个电极，第一个电极加入高于周围电极的电压，使得其下吸引一定量的电荷

1、电极+10V电压，电极下形成势阱；

2、下一个电极升压到+10V，势阱连通，电荷部分转移，注意，此时前一个电极电压未降，所以是部分转移

3、前一个电极降压，电荷全部转到第二个势阱

4、如此不断改变电压，使信号电荷一位一位顺序传输

总结起来CCD的工作过程或组成就是

参数对比

（1） 输出类型：CMOS一般内置A/D模块，图像输出已经数字化，而CCD输出的是模拟信号

（2）灵敏度：CMOS灵敏度低，而CCD在同等面积下的灵敏度要相对高

（3）功耗：CMOS是直接放大，功耗低，CCD需要外加电压，功耗高

（4）信噪比：CMOS的信噪比低于CCD

可以看出的是，CCD的优势在灵敏度和信噪处理方面的表现要优于CMOS，但功耗大、成本高；而CMOS的优势是低成本、低功耗等。总的来说，两种器件各自都在的不足上做改进，新一代CCD传感器一直在功耗上做改进，而CMOS则在改善信噪比和灵敏度方面的不足。

最后记一下模糊记得的一部分三极管和场效应管相关知识

（1）三极管，E、B、C

NPN、PNP型、

电流控制类型、当负载工作电流较大时，三极管发热比较严重，所以三极管不适合驱动功率较大的负载。用于设计负载驱动电路，实现开关控制，比如控制蜂鸣器、LED、直流电机、继电器等等。三极管导通后，集电极（C）和发射极（E）之间会有一定的压降。

（2）场效应管  栅极（G）、漏极（D）、源极（S）

场效应管导通后内阻很小，，可以用于驱动功率较大的直流负载。场效应管也可以用于设计电流、电压信号放大电路

参考文献：《安防天下2：智能高清视频监控原理精解与最佳实践》