STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

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STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

型号:STTH15RQ06-Y

品牌:ASEMI

封装:TO-220-2L

最大漏源电流:15A

漏源击穿电压600V

RDS(ON)Max:0.24Ω

引脚数量:2

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

特性:车规级MOS管

恢复时间:25ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS管

工作结温:-40℃~175

STTH15RQ06-Y车规级场效应管

STTH15RQ06-Y的电性参数:最大漏源电流15A;漏源击穿电压600V

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:

Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。

STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理_第1张图片

 

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