BGA：Ball grid array，球栅阵列或焊球阵列封装技术，自提出以来发展迅速并成为主流的封装工艺之一。它是一种高密度表面装配封装技术，在封装底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。
关于BGA封装
BQM: Build Quality Metrics, ANSYS提出的一种评估方法。
Achieving a Predictable SignOff in 7nm
In a wider context, assessing power integrity in the design flow starts at the power planning stage, in which grid quality is analyzed through BQM (Build Quality Metrics) approach.
CMP：Concurrent Macro and std Placement, Innovus/ICC2可以在place阶段调用的 mixed placer engine，可以同时自动摆放macro和std cell。
CMP: Chemical and Mechanical Polishing ，化学机械抛光，是提供超大规模集成电路(ULSI)制造过程中表面平坦化的一种新技术，于1965年首次由美国的Monsanto提出，最初是用于获取高质量的玻璃表面。CMP技术具有独特的化学和机械相结合的效应，是在机械抛光的基础上，根据所要抛光的表面，加入相应的化学试剂，从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。CMP技术是从原子水平上进行材料去除，从而获得超光滑和超低损伤表面，该技术广泛应用于光学元件、计算机硬盘、微机电系统、集成电路等领域。
MSB: Most Significant Bit, 最高有效位.
LSB: Least Significant Bit, 最低有效位.
在二进制数中，MSB是最高加权位。与十进制数字中最左边的一位类似。通常，MSB位于二进制数的最左侧，LSB位于二进制数的最右侧。
ELPG: Engine level power gating.
BLPG: Block level power gating.
一般是由ELPG controller发出控制信号给BLPG controller，再由BLPG controller发出sleep_en 信号给power switch cell。
CPF: common power format，低功耗设计文件，指定多电压域及power gating等信息。
UPF: Unified Power Format，是Synopsys公司提出的一种对芯片中电源域设计进行约束的文件格式。
PST: Power State Table, 在 Power Switch 插入以后，需要对电压域的有效电压，以及不同电压域之间的关系进行设置，同时建立电压分布及关断的情景（scenarios），可以用于静态电压分析、仿真等。
Lib：liberty interchange format，描述工艺库中cell的时序和功耗信息的文件
Lef：Library exchange format，描述std cell的物理信息，包括形状，尺寸，出pin的位置及金属层，不可布线区域OBS等。
SDF：standard delay format，标准延时文件，用于反标回前端仿真工具进行后仿
Spef：standard parasitic exchange format，标准寄生交换格式文件，EDA工具间传递互连线寄生参数的标准媒介文件。
AWP: advance waveform propagation, PT中的开关，提升signoff 准确度。
DMSA: 分布式的多场景分析 , distributed multi scenarios analysis, PT提供的多scenario的分析。
WNS：worst negative slack， 最差的slack值，表征芯片的最差性能。
TNS：total negative slack， 所有负的slack值之和，表征芯片的一个性能范围。
NVP: Number of violated Path。时序报告中违例的路径数目。
OCV：on chip variation，片上工艺偏差。
CRPR/CPPR：clock reconvergence pessimism removal / common path pessimism removal，考虑了ocv的时序分析过程中，需要对common path上的悲观度进行剔除。
CCD：concurrent clock and data，在时序优化的过程中使用useful skew向前级或后级借timing。
MMMC：Multi mode multi corner，多种工作模块多种工艺角组合下进行timing等check。
DCD：Duty Cycle Distortion，即时钟不对称，时钟的脉冲宽度发生了变化。DCD会吞噬大量的时序裕量，造成数字信号的失真，使过零区间偏离理想的位置。DCD通常是由信号的rise delay和fall delay不平衡而造成的。
MPW: Min Pulse Width，最小脉冲宽度。时钟信号的脉宽如果太小会引起两个问题：
1）时序单元无法正常工作
时钟信号高低电平的最小脉宽至少要大于等于建立时间与保持时间所需要的时间，否则时序单元无法正常工作。
2）任何信号的脉宽都不能太小，否则在组合逻辑路径的传播过程中会慢慢削弱而失真。
对应的SDC命令：
set_min_pulse_width -high 1.5 [all_clocks]
set_min_pulse_width -low 1.0 [all_clocks]
1
2
MSMV: Multi-Supply Multi-Voltage （多电源多电压）
PSO：Power Shut Off （电源关断）
SRPG：State Retention Power Gating（状态保持电源门控）
RDL：Redistribution layer，用在flip chip封装中。
OD：Oxide氧化层，或指有源区。
GDS：Graphic Data System，设计的版图文件，目前是第二代GDS，一般也会写作GDSII，已经成为业界的标准格式。
RSF：Run-Set-File，物理规则描述文件，用于对GDS版图进行检查。在过往常用的工艺里边，大部分的RSF都是基于Calibre的SVRF（Standard Verification Rule Format）、TVF（Tcl Verification Format）语法格式的。
OASIS：随着工艺节点的越来越小，芯片的GDS数据量越来越大，为了便于文件传输，产生了OASIS（Open Artwork System Interchange Standard）格式，文件更小传输更便捷，也是SEMI力推的下一代版图数据格式，用于替代已经服役30多年的GDS格式。
NDR：Non default routing rule， 非默认绕线规则。一般用于设置clock时钟走线的规则，如w2s2，即两倍线宽两倍间距。
ICG: Integrated Clock Gating
itf：interconnect technology format，RC寄生模型文件，用来计算互连线RC。
GRC：Global Routing Cell，在global routing阶段，以GRC为最小单位来安排走线。
POC:power on control，控制IO上电。
SSO：Simultaneous Switching outputs，即允许同时切换的信号 IO 的数量。
多个信号 IO 同时切换时，因更多电流流过 pad ring，在PG IO 的 bonding wire 及片外引线上的电感上，产生 Ldi/dt 的压降。也即 ssn，同时切换噪声。主要是会引起地弹，即 ground bounce。
避免sso 有很多方法。如增加供给pad 用的电源IO 数量，采用double bonding 或triple bonding，采用 slew rate control 的 IO，避免把 pad 电源 IO 放在 corner 上（corner 处 bonding wire 引线最长，L 最大）等。
LPP：Low Power Placement
Move cells closer to shorten non-clock high-activity nets
GLPO：Gate Level Power Optimization，通过门级优化降低功耗
Downsize：对高翻转率net的扇出cell downsize，减小负载电容
Pin swapping：将高翻转率net连接到低电容pin
HFNS：high fanout net synthesis，在综合和place阶段进行的操作，即向大扇出的net插入buffer，以增加驱动能力，减小负载，消除逻辑DRC问题（如max_transition）。
HCTS: 目前理解就是传统的H-tree 结构
MPCTS: Multi point Clock Tree Synthesis
原文链接：https://blog.csdn.net/qq_36480087/article/details/111225266