聊聊 磁珠

最常见的比较是 磁珠 vs 电感

磁珠和电感的常见形式

简单来说，两者的区别：磁珠是铁氧体包裹导线，电感是导线包裹铁磁材料。

性能对比如下：

注：
饱和电流→电感值下降30%时的电流
温升电流→温度上升△T=40℃的电流

饱和电流：以电感值的下降程度为指标，超过该范围导致L ↓↓，纹波增加，芯片工作不稳定；
温升电流：以发热量为指标，超过该范围会导致元件破损及故障。

对电感而言，电流取两者的最小值，且一般降额至80% 使用。

对于 磁珠来讲，当流过电流逐渐↑↑，阻抗 ↓↓，.只需要额定电流的50%， @f=100M 的有效电阻会从 100Ω 降低 10Ω

磁珠datasheet截图

电感的datasheet截图

磁珠多用于电源网络进行滤波

任何一个信号线的质量都是由3根线决定的：VCC、 signal、 GND。

当分析磁珠置于VCC电源网络时，假设GND是理想参考平面。且VCC1不够干净，存在高频 f 干扰。由于磁珠在高频处呈现相对高阻抗，该高频干扰会在磁珠上产生压降（表征该干扰被磁珠吸收），VCC2得到干净电源。如下图所示：

磁珠的选择：比较常见的是120Ω/600Ω/1kΩ@100M 。一般来说，主通路选择120Ω@100M，分通路选择600Ω/1kΩ@100M。磁珠作为滤波电路，起到双向隔离的作用。

磁珠能否用于DGND和AGND的跨分割连接？

分为以下两种情况：

1、参考地从AGND侧出线：

一般认为DGND比较脏，是因为存在较多的高频回流电流，此高频回流电流经过A图的磁珠，磁珠在不同的f产生的压降是不同的。频率越高，压降越大。这意味着不同频点的参考地存在压差。GND的变化意味着信号的变化，比如高频分量减小——时域表现就是、出现振铃、或上升沿变缓等波形畸变、或者在波形上叠加其他噪声。

 假设图A的磁珠刚好能够完美的吸收各个频点的高频回流电流，使磁珠左侧电位保持不变，那A图连接方案DGND对AGND毫无影响，但对数字信号影响极大。

 假设A的磁珠不能完美吸收各个频点的高频电流（绝大概率的情况），那么此时磁珠左侧电位一定产生变化，如果附近存在AGND，就必然引起该部分的参考地的波动（表征为数字地干扰了模拟地）。在该种情况下，不仅DGND不理想，AGND也不理想。

2、参考地从DGND侧出线：

此时所有的高频回流电流以最近的回路被泄放，而AGND本来就干净，此时加不加bead意义不大，反而如果AGND存在高频回流电流，磁珠并不能抑制，因为AGND的参考电位在bead左侧。

问题在于DGND至参考地并不是完美的短接，一定存在一些直流电阻，那么所有数字高频回流都会在该直流电阻上产生压降，也就是数字噪声全部加载在模拟电路上。这更严重！

如果非要从上述两种情况选择一种连接方式的话：建议选择 A图

不建议将磁珠用于地平面分割的连接。

地平面的处理有以下4种方式：

建议：优选上面两种，ohm端接次之，不要用磁珠进行GND的短接