NvM学习笔记（一）以TC387为例，分析为什么要使用Flash 模拟 EEPROM ？

在嵌入式软件系统中，管理非易失性的数据存储，如在系统启动时，从非易失性存储器中读取一些关键数据，在系统关闭阶段，同步应用程序RAM区的数据到非易失性存储器中，是一项十分必要的工作。

目前行业内用的最广泛的非易失性存储设备主要是EEPROM和FLASH ,其均有在ECU掉电后，存储的数据不丢失这样的属性。

但是EEPROM和Flash由于设计特性和制造工艺的不同，各自都有相应的优势，对应的也有相应的劣势。

对于EEPROM：
优点：

• 以一个Byte为单位写入和擦除的，使得EEPROM擦写比较独立自由，也不会影响其他数据。
• EEPROM的擦写寿命（PE cycles）是比较高的，达百万次。

缺点：

• 容量小
• 价格贵
• 读/写速度慢，其读写速度慢的主要原因是受限于IIC和SPI的通信速度
  比如芯片AT25040（SPI Serial EEPROMS), 其最高时钟频率2.1MHZ
  

对于Flash
优点：

• 容量大
• 价格便宜
• 读/写速度快 ，对于位于uC内部的Flash，由于CPU的主频一般都是百万兆HZ，所以CPU访问Flash的速度更快

缺点

• 擦写寿命很短（通常只有十万次PE cycles）
• Flash的最小擦除单位是Logical Sector， 最小编程（写）单位是Page， 一般一个扇区（sector）包括了多个页（page）

如在TC3xx中，对于Pflash,一个Page = 32 Bytes； 而对于Dflash，一个Page =8 Bytes。

在汽车ECU中，需要在下电时保存的数据一般比较多，如发生故障时的DTC和相应的冻结帧，但是EEPROM内存比较小，价格昂贵，而修改Flash中存储的值需要擦除整个内存块，Flash使用寿命短，频繁更新数据势必会降低Flash的使用寿命。

为了降本增效，工程师们就想出了一个结合EEPROM和Flash优点的存储方法，采用uc内部的DFLASH 模拟EEPROM,来存储ECU下电时需要保存到非易失性存储器中的数据，在AUTOSAR软件架构中，存储协议栈可以实现这部分功能。